一种高氨基含量有序介孔二氧化硅薄膜的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710303403.3

申请日：

2007-12-27

公开(公告)号：

CN101214966B

公开(公告)日：

2008-07-09

发明(设计)人：

王建方张学骜吴文健满亚辉胡碧茹

申请人：

申请人地址：

410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学一院五系504室

IPC主分类号：

C01B3314

IPC分类号：

C01B33157 C09K900

代理机构：

湖南兆弘专利事务所 43008

代理人：

赵洪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-09	公开	公开
2008-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-08	授权	授权
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599308712 IPC(主分类):C01B 33/14 专利号:ZL2007103034033 申请日:20071227 授权公告日:20101208 终止日期:20131227

共 50 条

[1]

介孔二氧化硅薄膜 [P].

矢野聪宏 .

中国专利 :CN101657383A ,2010-02-24

[2]

宏观取向有序介孔二氧化硅薄膜的制备方法 [P].

陆学民 ;

路庆华 ;

苏彬 .

中国专利 :CN101049937A ,2007-10-10

[3]

一种通过氨基修饰后双重载药的介孔二氧化硅 [P].

邵敬伟 ;

许煜 ;

禹小波 ;

林丽卿 ;

杨祥 ;

江舟 ;

贾力 .

中国专利 :CN104027814A ,2014-09-10

[4]

单分散纳米球形二氧化硅的制备方法及纳米二氧化硅 [P].

熊仕显 ;

蒋绪川 ;

余艾冰 .

中国专利 :CN104211073A ,2014-12-17

[5]

一种胱氨酸修饰介孔二氧化硅的制备方法 [P].

江国健 ;

曹红 ;

麻云磊 .

中国专利 :CN114042165A ,2022-02-15

[6]

球形介孔二氧化硅的制备方法 [P].

唐芳琼 ;

庞雪蕾 .

中国专利 :CN1715184A ,2006-01-04

[7]

一种氨基化二氧化硅颗粒的制备方法 [P].

詹世平 ;

王景昌 ;

商雪航 ;

侯维敏 .

中国专利 :CN109761240A ,2019-05-17

[8]

一种有序介孔二氧化硅空心球的制备方法 [P].

郑南峰 ;

方晓亮 ;

陈诚 ;

李悦 .

中国专利 :CN102153094A ,2011-08-17

[9]

一种介孔二氧化硅材料的制备方法 [P].

奚红霞 ;

孙惠惠 ;

朱智洪 ;

郑丽明 .

中国专利 :CN104787768B ,2015-07-22

[10]

聚苯乙烯基介孔二氧化硅薄膜的制备方法 [P].

魏刚 ;

王晓娜 ;

李华芳 ;

白阿香 ;

陈晓晓 .

中国专利 :CN102050955B ,2011-05-11

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