半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010215163.3

申请日：

2010-06-22

公开(公告)号：

CN102299154A

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

朱慧珑梁擎擎骆志炯尹海洲

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238 H01L2949 H01L2128

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

马佑平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	授权	授权
2012-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101185313335 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2010102151633 申请日:20100622
2011-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

王鹤飞 ;

骆志炯 ;

刘佳 .

中国专利 :CN102456734B ,2012-05-16

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

陶磊 ;

冯永波 ;

王厚有 ;

刘西域 .

中国专利 :CN111933572A ,2020-11-13

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN119136535A ,2024-12-13

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN119136535B ,2025-10-21

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

王新鹏 .

中国专利 :CN103021999B ,2013-04-03

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

涂言铭 ;

叶长福 .

中国专利 :CN120379331A ,2025-07-25

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

林嘉铭 ;

陈旋旋 ;

吕佐文 ;

谢光良 ;

冒姣姣 ;

李少恒 ;

黄健宾 .

中国专利 :CN119153528A ,2024-12-17

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300448B ,2025-10-21

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN115244709B ,2025-12-02

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

胡建城 .

中国专利 :CN117954446A ,2024-04-30

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