硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210593282.1

申请日：

2012-12-31

公开(公告)号：

CN103911662B

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

涂小牛郑燕青孔海宽杨建华施尔畏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C30B2930

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/30 登记生效日:20220812 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更事项:专利权人变更前权利人:上海硅酸盐研究所中试基地
2014-07-09	公开	公开
2014-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584233504 IPC(主分类):C30B 29/30 专利申请号:2012105932821 申请日:20121231
2016-08-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种硅酸镓铌钙压电晶体及其制备方法 [P].

蒋博翰 ;

郑燕青 ;

涂小牛 ;

熊开南 ;

李亚乔 ;

曹硕梁 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN106480501A ,2017-03-08

[2]

一种硅酸铝镓铌钙压电晶体及其制备方法 [P].

熊开南 ;

郑燕青 ;

涂小牛 ;

林全明 ;

李亚乔 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN104695017A ,2015-06-10

[3]

一种硅酸铝镓钽钙压电晶体及其制备方法 [P].

熊开南 ;

郑燕青 ;

涂小牛 ;

林全明 ;

李亚乔 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN104695018A ,2015-06-10

[4]

硅酸镓镧晶体元件的生产方法 [P].

朱木典 ;

郑燕青 ;

朱柳典 ;

张茁 .

中国专利 :CN101834270B ,2010-09-15

[5]

一种硅酸镓铽磁光压电晶体及其生长方法 [P].

罗毅 .

中国专利 :CN108930063A ,2018-12-04

[6]

压电晶体管及其制造方法 [P].

郑恩洙 .

中国专利 :CN101673753A ,2010-03-17

[7]

铁掺杂硅酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 [P].

张庆礼 ;

张琦 .

中国专利 :CN103603046A ,2014-02-26

[8]

一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法 [P].

涂一帆 ;

郑燕青 ;

涂小牛 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN103014865A ,2013-04-03

[9]

一种铽参杂的硅酸镓镧晶体及其提拉法生长方法 [P].

罗毅 .

中国专利 :CN109183155A ,2019-01-11

[10]

一种压电晶体的制造方法 [P].

徐秋峰 ;

张寒贫 ;

张忠伟 ;

张鸿 ;

张坚 ;

陈晓强 ;

沈礼东 ;

陈铖 ;

沈晓燕 .

中国专利 :CN107313109A ,2017-11-03

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