一种三维NAND型铁电场效应晶体管存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010622412.4

申请日：

2020-06-30

公开(公告)号：

CN111799265A

公开(公告)日：

2020-10-20

发明(设计)人：

曾斌建周益春廖敏

申请人：

申请人地址：

411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

IPC主分类号：

H01L2711507

IPC分类号：

H01L2711514 H01L2910 H01L2978 H01L21336

代理机构：

北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489

代理人：

郑久兴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11507 申请日:20200630
2021-06-04	授权	授权
2020-10-20	公开	公开

共 50 条

[1]

三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法 [P].

曾斌建 ;

周益春 ;

廖敏 .

中国专利 :CN113871395A ,2021-12-31

[2]

铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

姜鹏飞 ;

徐盼 ;

彭学阳 ;

罗庆 .

中国专利 :CN121152214A ,2025-12-16

[3]

铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

姜鹏飞 ;

徐盼 ;

杨阳 ;

彭学阳 ;

罗庆 .

中国专利 :CN121126789A ,2025-12-12

[4]

一种三维铁电场效应晶体管存储单元、存储器及制备方法 [P].

曾斌建 ;

周益春 ;

廖敏 .

中国专利 :CN111799279A ,2020-10-20

[5]

一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法 [P].

廖敏 ;

杨棋钧 ;

李华山 ;

孙智杰 ;

曾斌建 ;

周益春 .

中国专利 :CN112259552A ,2021-01-22

[6]

一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法 [P].

洪培真 ;

李春龙 ;

霍宗亮 ;

邹兴奇 ;

张瑜 .

中国专利 :CN111312820A ,2020-06-19

[7]

铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法 [P].

蔡道林 ;

李平 ;

张树人 .

中国专利 :CN101000926A ,2007-07-18

[8]

铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件 [P].

康晋锋 ;

宋旭锦 ;

孙迪江 ;

虞晨曦 ;

李尚泽 ;

周正 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN117976722A ,2024-05-03

[9]

铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器 [P].

俞滨 ;

王丁 ;

薛飞 .

中国专利 :CN119028828A ,2024-11-26

[10]

存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 ;

贾汉中 ;

刘逸青 ;

杨世海 ;

王奕 .

中国专利 :CN113380892A ,2021-09-10

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