带有多量子阱结构的光电子半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880108978.2

申请日：

2008-09-12

公开(公告)号：

CN101809767B

公开(公告)日：

2010-08-18

发明(设计)人：

彼得·施陶斯马蒂亚斯·彼得亚历山大·沃尔特

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

陈炜;许伟群

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-13	授权	授权
2010-10-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006686138 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801089782 申请日:20080912
2010-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

具有带有至少一个高阻挡层的多量子阱的光电子半导体芯片 [P].

伊瓦尔·通林 ;

费利克斯·恩斯特 .

中国专利 :CN105493299B ,2016-04-13

[2]

光电子半导体芯片 [P].

安德烈亚斯·鲁道夫 ;

马库斯·布勒尔 ;

沃尔夫冈·施密德 ;

约翰内斯·鲍尔 ;

马丁·鲁道夫·贝林格 .

中国专利 :CN110337730A ,2019-10-15

[3]

具有量子阱结构的光电子半导体本体 [P].

M·彼得 ;

R·布滕戴希 ;

泷哲也 ;

J·奥夫 ;

A·瓦尔特 ;

T·迈耶 .

中国专利 :CN102498626B ,2012-06-13

[4]

光电子半导体芯片 [P].

亚德里恩·阿夫拉梅斯库 ;

福尔克尔·黑勒 ;

卢茨·赫佩尔 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

乌韦·施特劳斯 .

中国专利 :CN102664223A ,2012-09-12

[5]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[6]

光电子半导体芯片 [P].

卢茨·赫佩尔 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102106008A ,2011-06-22

[7]

光电子半导体芯片 [P].

阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科 ;

迪泽尔·科尤恩 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

斯蒂芬·鲁特格恩 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN104319331B ,2015-01-28

[8]

光电子半导体芯片 [P].

M.曼德尔 ;

M.施特拉斯堡 ;

C.克尔佩尔 ;

A.普法伊费尔 ;

P.罗德 .

中国专利 :CN103959489A ,2014-07-30

[9]

光电子半导体芯片 [P].

R·沃思 .

中国专利 :CN101278412A ,2008-10-01

[10]

光电子半导体芯片 [P].

阿德里恩·斯蒂芬·阿朗姆梅斯科 ;

迪泽尔·科尤恩 ;

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

斯蒂芬·鲁特格恩 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102369606A ,2012-03-07

← 1 2 3 4 5 →