一种铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910933647.2

申请日：

2019-09-29

公开(公告)号：

CN110676377A

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

李颖张坤武焱旻赵高扬

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1812

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

涂秀清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190929
2020-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法 [P].

张志勇 ;

郭晨 ;

陈诚 ;

赵武 ;

闫军锋 ;

翟春雪 .

中国专利 :CN114597308A ,2022-06-07

[2]

一种氧化钛薄膜忆阻器制备方法 [P].

周梨 ;

钟志亲 ;

王姝娅 .

中国专利 :CN110993788A ,2020-04-10

[3]

二氧化钛多孔薄膜的制备方法 [P].

吴韬 ;

方燕翎 ;

王琦 ;

丁靓 .

中国专利 :CN101886249A ,2010-11-17

[4]

一种锆掺杂氧化钛忆阻器薄膜的制备方法 [P].

李颖 .

中国专利 :CN109411599A ,2019-03-01

[5]

一种氮掺杂二氧化钛阵列忆阻器及其制备方法 [P].

姜超 ;

余延涛 ;

王春齐 ;

黄小忠 ;

杜作娟 .

中国专利 :CN110137351A ,2019-08-16

[6]

一种硫掺杂二氧化钛的制备方法 [P].

沈杰 .

中国专利 :CN102755900A ,2012-10-31

[7]

钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

陈品良 ;

常玲 .

中国专利 :CN107974662A ,2018-05-01

[8]

二氧化钛纳米孔阵列薄膜的制备方法 [P].

高旭东 ;

费广涛 ;

欧阳浩淼 ;

郭霄 .

中国专利 :CN102888645A ,2013-01-23

[9]

一种银掺杂二氧化钛薄膜及其制备方法 [P].

周树云 ;

章启军 ;

孙承华 ;

胡秀杰 ;

严峻 ;

陈萍 .

中国专利 :CN102219179B ,2011-10-19

[10]

掺杂二氧化钛 [P].

伊娜·黑默 ;

赫尔穆特·曼戈尔德 ;

斯文－乌韦·盖森 ;

安娜·莫伊谢耶夫 .

中国专利 :CN1206024C ,2001-11-07

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