一种直拉单晶热场及用于该热场的复投工艺

被引：0

申请号：

CN202011258189.6

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN114481292A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

吴树飞郝瑞军赵国伟周泽刘振宇杨瑞峰刘学王建宇

申请人：

申请人地址：

010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B1512 C30B1520 C30B2906

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213

代理人：

栾志超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20201112
2022-05-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种直拉单晶热场 [P].

吴树飞 ;

郝瑞军 ;

赵国伟 ;

周泽 ;

刘振宇 ;

杨瑞峰 ;

刘学 ;

王建宇 .

中国专利 :CN214060708U ,2021-08-27

[2]

直拉硅单晶热场 [P].

刘彬国 ;

何京辉 ;

曹祥瑞 ;

颜超 .

中国专利 :CN101949057A ,2011-01-19

[3]

直拉硅单晶热场 [P].

陈康 ;

马洋 ;

王军磊 ;

王建平 ;

谷守伟 ;

贾海洋 ;

王永青 ;

梁山 ;

郝勇 .

中国专利 :CN204251760U ,2015-04-08

[4]

一种直拉单晶炉用热场 [P].

钮应喜 ;

张志强 ;

黄振飞 .

中国专利 :CN202000023U ,2011-10-05

[5]

一种直拉单晶热场结构 [P].

武志军 ;

谷守伟 ;

韩凯 ;

岳彩广 ;

徐小龙 .

中国专利 :CN216514260U ,2022-05-13

[6]

用于直拉硅单晶炉热场系统 [P].

殷国庆 ;

吴道庆 .

中国专利 :CN201512601U ,2010-06-23

[7]

一种直拉单晶初始复投工艺 [P].

赵国伟 ;

王林 ;

谷守伟 ;

张文霞 ;

王建平 ;

吴树飞 ;

郝瑞军 ;

安伟 ;

菅向红 ;

郭志荣 .

中国专利 :CN115369475A ,2022-11-22

[8]

一种直拉单晶多次复投工艺 [P].

刘有益 ;

王建平 ;

杨志 ;

刘学 ;

杨瑞峰 ;

王建宇 ;

高利强 ;

王林 ;

高润飞 ;

郭志荣 .

中国专利 :CN110396715A ,2019-11-01

[9]

一种直拉单晶初始复投工艺 [P].

赵国伟 ;

王林 ;

谷守伟 ;

张文霞 ;

王建平 ;

吴树飞 ;

郝瑞军 ;

安伟 ;

菅向红 ;

郭志荣 .

中国专利 :CN115369475B ,2024-05-28

[10]

一种单晶硅直拉热场及单晶硅直拉工艺 [P].

焦鹏 ;

王玉龙 ;

黄旭光 .

中国专利 :CN118109896A ,2024-05-31

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