N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210396659.8

申请日：

2022-04-15

公开(公告)号：

CN114864657A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

王文樑李灏侯冬曼李国强林廷钧

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2945 H01L2947 H01L29778 H01L21335

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

戴晓琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220415
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17

[2]

N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

张景鸿 .

中国专利 :CN114242782A ,2022-03-25

[3]

一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

江弘胜 ;

肖一鸣 ;

董文浩 .

中国专利 :CN114156346A ,2022-03-08

[4]

N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

黄星悦 .

中国专利 :CN114242815A ,2022-03-25

[5]

一种基于Cu衬底基GaN整流器及其制备方法 [P].

李国强 ;

胡智凯 ;

王文樑 ;

唐鑫 .

中国专利 :CN111009467B ,2020-04-14

[6]

一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

杨昱辉 ;

江弘胜 ;

肖一鸣 ;

董文浩 .

中国专利 :CN213401214U ,2021-06-08

[7]

GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器 [P].

李国强 ;

曹犇 ;

吴昌桐 .

中国专利 :CN118136504A ,2024-06-04

[8]

GaN基宽输入功率范围整流芯片及其制作方法、整流器 [P].

李国强 ;

曹犇 ;

吴昌桐 .

中国专利 :CN118136504B ,2024-09-06

[9]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092A ,2022-12-02

[10]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092B ,2025-07-08

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