一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810574248.7

申请日：

2018-06-06

公开(公告)号：

CN108794748A

公开(公告)日：

2018-11-13

发明(设计)人：

马文石邱国荣张志琳焦元启

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C08G7312

IPC分类号：

C08J518 C08L7908

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;冯振宁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	授权	授权
2018-12-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 73/12 申请日:20180606
2018-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低介电常数聚酰亚胺合金及其制备方法 [P].

马文石 ;

邱国荣 .

中国专利 :CN111073285B ,2020-04-28

[2]

一种低介电常数芴基聚酰亚胺薄膜及其制备方法与应用 [P].

郑胜清 ;

王朋娜 ;

钱宸旭 ;

赵楠 ;

张劲韬 .

中国专利 :CN120554637A ,2025-08-29

[3]

一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

李璐 ;

柏栋宇 ;

李科 ;

李颖 ;

程江 .

中国专利 :CN110358134A ,2019-10-22

[4]

一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

周浪 ;

赵子刚 ;

陈玉净 .

中国专利 :CN109096758A ,2018-12-28

[5]

一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

汪英 ;

任小龙 ;

周福龙 ;

王汝柯 ;

李耀星 .

中国专利 :CN104211980B ,2014-12-17

[6]

一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

闵永刚 ;

余文涛 ;

廖松义 ;

刘屹东 ;

谭婉仪 ;

朋小康 .

中国专利 :CN112210101A ,2021-01-12

[7]

一种高导热低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

孙善卫 ;

徐宝羚 ;

庞冲 ;

方超 .

中国专利 :CN116285347B ,2024-12-20

[8]

一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

庄方东 ;

张鹏飞 .

中国专利 :CN119775572A ,2025-04-08

[9]

一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

庄方东 ;

张鹏飞 .

中国专利 :CN119775572B ,2025-11-11

[10]

一种无色透明低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 [P].

刘顺祯 ;

吕亮 ;

宋艳江 .

中国专利 :CN105860075A ,2016-08-17

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