相变存储器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410095711.8

申请日：

2004-11-24

公开(公告)号：

CN100456512C

公开(公告)日：

2005-06-01

发明(设计)人：

郑元哲金亨俊朴哉炫郑椙旭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156 G11C1300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-01-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101642078787 IPC(主分类):H01L 45/00 专利号:ZL2004100957118 申请日:20041124 授权公告日:20090128 终止日期:20141124
2005-06-01	公开	公开
2009-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

相变存储器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

林毓超 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN113517393A ,2021-10-19

[2]

相变存储器件及其形成方法 [P].

李东颖 ;

林毓超 ;

余绍铭 .

中国专利 :CN113517393B ,2024-05-28

[3]

相变层及其形成方法,相变存储器件及其制造方法 [P].

申雄澈 ;

朴柱哲 .

中国专利 :CN101271960B ,2008-09-24

[4]

相变存储器器件及其形成方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

匡睿 .

中国专利 :CN113795937B ,2024-08-20

[5]

相变存储器器件及其形成方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

匡睿 .

中国专利 :CN113795937A ,2021-12-14

[6]

相变存储器及其形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102760831A ,2012-10-31

[7]

相变存储器及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

庞军玲 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102376877A ,2012-03-14

[8]

相变存储器及其形成方法 [P].

伏广才 ;

李志超 .

中国专利 :CN105655486A ,2016-06-08

[9]

相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P].

李莹 ;

吴关平 .

中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01

[10]

相变存储器结构、存储器器件及其形成方法 [P].

金海光 ;

梁晋玮 ;

林杏莲 ;

江法伸 .

中国专利 :CN110783452A ,2020-02-11

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