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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200780041277.7
申请日：
2007-10-09
公开(公告)号：
CN101536181B
公开(公告)日：
2009-09-16
发明(设计)人：
菊池克
山道新太郎
村井秀哉
前田胜美
船矢琢央
森健太郎
前田武彦
川野连也
萱岛祐治
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L2312
IPC分类号：
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
孙志湧;穆德骏
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-08-28 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101655467764 IPC(主分类):H01L 23/12 专利号:ZL2007800412777 变更事项:专利权人 变更前权利人:日本电气株式会社 变更后权利人:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京 变更后权利人:日本神奈川 变更事项:专利权人 变更前权利人:瑞萨电子株式会社 变更后权利人:无 登记生效日:20130812 |
| 2012-06-06 | 授权 | 授权 |
| 2009-11-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2009-09-16 | 公开 | 公开 |
| 2020-09-25 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/12 申请日:20071009 授权公告日:20120606 终止日期:20191009 |
| 2017-12-29 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/12 变更事项:专利权人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川 变更后:日本东京 |