一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010500385.3

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN111627901B

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

李泽宏何云娇王彤阳莫家宁蒲小庆程然王志明任敏张金平高巍张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

霍淑利

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20200604
2020-09-04	公开	公开
2022-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种LDMOS触发的可编程单向保护器件 [P].

李泽宏 ;

何云娇 ;

莫家宁 ;

王彤阳 ;

蒲小庆 ;

程然 ;

王志明 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111627905B ,2020-09-04

[2]

可编程阻断型浪涌保护器件 [P].

苏海伟 ;

张关保 ;

王永录 ;

叶力 ;

吴兴农 .

中国专利 :CN102176616A ,2011-09-07

[3]

可编程阻断型浪涌保护器件 [P].

叶力 .

中国专利 :CN105977909A ,2016-09-28

[4]

一种具有VDMOS和晶闸管的可编程过电压保护器件 [P].

李泽宏 ;

何云娇 ;

王彤阳 ;

莫家宁 ;

蒲小庆 ;

程然 ;

王志明 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111627904B ,2020-09-04

[5]

一种具有SGT和晶闸管的可编程过电压保护器件 [P].

李泽宏 ;

何云娇 ;

程然 ;

王志明 ;

王彤阳 ;

莫家宁 ;

蒲小庆 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111627902B ,2020-09-04

[6]

具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件 [P].

曼恩格 ;

孙志斌 ;

欧新华 ;

张守明 .

中国专利 :CN101640414A ,2010-02-03

[7]

可编程半导体抗浪涌保护器件、制作工艺及版图 [P].

孙志斌 ;

欧新华 ;

杨兆国 ;

仇利民 ;

林杰仁 .

中国专利 :CN101540323A ,2009-09-23

[8]

双向导通的高压高性能可编程半导体防浪涌保护器件 [P].

石华平 ;

黎威志 ;

陈婷婷 ;

黄江 ;

陈德林 ;

范荣荣 .

中国专利 :CN112820729A ,2021-05-18

[9]

高压高性能可编程半导体防浪涌保护器件 [P].

陈德林 ;

范荣荣 ;

黄江 ;

黎威志 ;

陈婷婷 ;

陆欣辰 .

中国专利 :CN214588852U ,2021-11-02

[10]

具有深阱结构的可编程半导体抗浪涌保护器件 [P].

曼恩格 ;

孙志斌 ;

欧新华 ;

张守明 .

中国专利 :CN201498983U ,2010-06-02

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