氢传感器

被引:0
专利类型
外观设计
申请号
CN200830248933.8
申请日
2008-11-04
公开(公告)号
CN301043935D
公开(公告)日
2009-10-21
发明(设计)人
宫照霞
申请人
申请人地址
100083北京市朝阳区德胜门外北沙滩1号37号楼一层
IPC主分类号
1005
IPC分类号
代理机构
北京方韬法业专利代理事务所
代理人
王国朴
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
氢传感器 [P]. 
内山直树 ;
松本博幸 ;
中林正刚 .
中国专利 :CN101449147A ,2009-06-03
[2]
氢传感器 [P]. 
植田敏嗣 ;
大井川宽 .
中国专利 :CN108027333A ,2018-05-11
[3]
氢传感器 [P]. 
I·帕弗洛弗斯基 ;
R·L·芬克 ;
Z·雅尼弗 .
中国专利 :CN101467030B ,2009-06-24
[4]
氢传感器 [P]. 
R·沙勒 ;
K·伊利安 .
德国专利 :CN117434208A ,2024-01-23
[5]
氢传感器 [P]. 
内山直树 ;
吉村和记 .
中国专利 :CN101680863B ,2010-03-24
[6]
氢传感器 [P]. 
本间运也 ;
伊藤理 ;
片山幸治 .
日本专利 :CN117795326A ,2024-03-29
[7]
氢传感器装置 [P]. 
菅野周一 ;
吉井泰雄 ;
小野塚准二 ;
曾筱雅彦 ;
大石英俊 ;
冈岛一博 ;
塚林俊二 .
中国专利 :CN102914562A ,2013-02-06
[8]
氢传感光纤和氢传感器 [P]. 
艾卡特里纳·布罗夫 ;
阿兰·帕斯图里特 ;
吉勒·梅兰 .
中国专利 :CN103063658B ,2013-04-24
[9]
连续范围氢传感器 [P]. 
G·蒙蒂 ;
K·恩戈 ;
M·扬 ;
R·L·芬克 .
中国专利 :CN101124476A ,2008-02-13
[10]
连续范围氢传感器 [P]. 
T·维瑟尔 ;
P·桑德拉佳 ;
I·帕维洛斯基 ;
M·杨 .
中国专利 :CN101501480A ,2009-08-05