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氢传感器
被引:0
专利类型
:
外观设计
申请号
:
CN200830248933.8
申请日
:
2008-11-04
公开(公告)号
:
CN301043935D
公开(公告)日
:
2009-10-21
发明(设计)人
:
宫照霞
申请人
:
申请人地址
:
100083北京市朝阳区德胜门外北沙滩1号37号楼一层
IPC主分类号
:
1005
IPC分类号
:
代理机构
:
北京方韬法业专利代理事务所
代理人
:
王国朴
法律状态
:
专利权的终止
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-11-27
专利权的终止
专利权有效期届满 主分类号:10-05 申请日:20081104 授权公告日:20091021
2009-10-21
授权
授权
共 50 条
[1]
氢传感器
[P].
内山直树
论文数:
0
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0
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0
内山直树
;
松本博幸
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松本博幸
;
中林正刚
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中林正刚
.
中国专利
:CN101449147A
,2009-06-03
[2]
氢传感器
[P].
植田敏嗣
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植田敏嗣
;
大井川宽
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大井川宽
.
中国专利
:CN108027333A
,2018-05-11
[3]
氢传感器
[P].
I·帕弗洛弗斯基
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I·帕弗洛弗斯基
;
R·L·芬克
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R·L·芬克
;
Z·雅尼弗
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Z·雅尼弗
.
中国专利
:CN101467030B
,2009-06-24
[4]
氢传感器
[P].
R·沙勒
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
R·沙勒
;
K·伊利安
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机构:
英飞凌科技股份有限公司
英飞凌科技股份有限公司
K·伊利安
.
德国专利
:CN117434208A
,2024-01-23
[5]
氢传感器
[P].
内山直树
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内山直树
;
吉村和记
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吉村和记
.
中国专利
:CN101680863B
,2010-03-24
[6]
氢传感器
[P].
本间运也
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机构:
新唐科技日本株式会社
新唐科技日本株式会社
本间运也
;
伊藤理
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机构:
新唐科技日本株式会社
新唐科技日本株式会社
伊藤理
;
片山幸治
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机构:
新唐科技日本株式会社
新唐科技日本株式会社
片山幸治
.
日本专利
:CN117795326A
,2024-03-29
[7]
氢传感器装置
[P].
菅野周一
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菅野周一
;
吉井泰雄
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吉井泰雄
;
小野塚准二
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小野塚准二
;
曾筱雅彦
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曾筱雅彦
;
大石英俊
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大石英俊
;
冈岛一博
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冈岛一博
;
塚林俊二
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塚林俊二
.
中国专利
:CN102914562A
,2013-02-06
[8]
氢传感光纤和氢传感器
[P].
艾卡特里纳·布罗夫
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艾卡特里纳·布罗夫
;
阿兰·帕斯图里特
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阿兰·帕斯图里特
;
吉勒·梅兰
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吉勒·梅兰
.
中国专利
:CN103063658B
,2013-04-24
[9]
连续范围氢传感器
[P].
G·蒙蒂
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G·蒙蒂
;
K·恩戈
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K·恩戈
;
M·扬
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M·扬
;
R·L·芬克
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R·L·芬克
.
中国专利
:CN101124476A
,2008-02-13
[10]
连续范围氢传感器
[P].
T·维瑟尔
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T·维瑟尔
;
P·桑德拉佳
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P·桑德拉佳
;
I·帕维洛斯基
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I·帕维洛斯基
;
M·杨
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M·杨
.
中国专利
:CN101501480A
,2009-08-05
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