半导体存储装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910122610.1
申请日
2019-02-14
公开(公告)号
CN110875326A
公开(公告)日
2020-03-10
发明(设计)人
藤井光太郎 永嶋贤史 中嶋由美
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
H01L271157
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
杨林勳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储装置 [P]. 
窪田吉孝 ;
小玉枝梨华 .
中国专利 :CN112510047A ,2021-03-16
[2]
半导体存储装置 [P]. 
伊藤孝政 .
中国专利 :CN112530970A ,2021-03-19
[3]
半导体存储装置 [P]. 
佐贯朋也 ;
中塚圭祐 ;
前嶋洋 ;
吉井谦一郎 ;
前田高志 ;
和田秀雄 .
中国专利 :CN113497061A ,2021-10-12
[4]
半导体存储装置 [P]. 
中泽新悟 ;
前田高志 .
中国专利 :CN114187947A ,2022-03-15
[5]
半导体存储装置 [P]. 
伊藤孝政 .
日本专利 :CN112530970B ,2024-03-12
[6]
半导体存储装置 [P]. 
斋藤雄太 ;
森伸二 ;
细谷启司 ;
萩岛大辅 ;
高桥笃史 .
中国专利 :CN113497048A ,2021-10-12
[7]
半导体存储装置 [P]. 
伊藤孝政 .
日本专利 :CN117896987A ,2024-04-16
[8]
半导体存储装置 [P]. 
佐贯朋也 ;
中塚圭祐 ;
前嶋洋 ;
吉井谦一郎 ;
前田高志 ;
和田秀雄 .
日本专利 :CN113497061B ,2024-03-08
[9]
半导体存储装置 [P]. 
中泽新悟 ;
前田高志 .
日本专利 :CN114187947B ,2025-08-15
[10]
半导体存储装置 [P]. 
中泽新悟 .
中国专利 :CN115117087A ,2022-09-27