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一种高磁导率低损耗铁氧体材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911240612.7
申请日
:
2019-12-06
公开(公告)号
:
CN110922179B
公开(公告)日
:
2020-03-27
发明(设计)人
:
刘立新
申请人
:
申请人地址
:
518116 广东省深圳市龙岗区南湾街道南岭村社区龙山工业区8号亿方达工业园厂房104
IPC主分类号
:
C04B3538
IPC分类号
:
C04B35622
C04B35626
H01F134
代理机构
:
济南泉城专利商标事务所 37218
代理人
:
石运芹
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-29
授权
授权
2020-04-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/38 申请日:20191206
2020-03-27
公开
公开
共 50 条
[1]
高初始磁导率、低损耗NiZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
何时金
论文数:
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何时金
;
包大新
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包大新
;
张涛
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张涛
;
葛蕴刚
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葛蕴刚
.
中国专利
:CN100340525C
,2006-11-15
[2]
一种高磁导率低损耗MnZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
赵旭
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赵旭
;
王朝明
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王朝明
;
卢飞翔
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卢飞翔
.
中国专利
:CN106587979A
,2017-04-26
[3]
高磁导率低损耗因数锰锌铁氧体材料及其制造工艺
[P].
刘先松
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刘先松
;
徐杰
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徐杰
;
胡锋
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胡锋
;
朱德如
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朱德如
.
中国专利
:CN101905970B
,2010-12-08
[4]
一种高温低损耗高磁导率MnZn铁氧体材料及制备方法
[P].
邢冰冰
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
邢冰冰
;
陈伟
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
陈伟
;
王鸿健
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
王鸿健
;
师银来
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
师银来
;
黄艳锋
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
黄艳锋
.
中国专利
:CN120817795B
,2025-11-21
[5]
一种高温低损耗高磁导率MnZn铁氧体材料及制备方法
[P].
邢冰冰
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
邢冰冰
;
陈伟
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
陈伟
;
王鸿健
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天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
王鸿健
;
师银来
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天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
师银来
;
黄艳锋
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机构:
天通控股股份有限公司
天通控股股份有限公司
黄艳锋
.
中国专利
:CN120817795A
,2025-10-21
[6]
一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料及制备方法
[P].
陈维兆
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陈维兆
;
王步猛
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王步猛
;
朱云芳
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朱云芳
;
陈申
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陈申
;
吉燕芹
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吉燕芹
.
中国专利
:CN105084882A
,2015-11-25
[7]
低损耗、低温度系数和高磁导率铁氧体材料及其制备方法
[P].
彭晓领
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彭晓领
;
严密
论文数:
0
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0
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严密
.
中国专利
:CN1587194A
,2005-03-02
[8]
一种宽频低损耗高磁导率锰锌铁氧体材料及其制备方法
[P].
何时金
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何时金
;
刘志勇
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刘志勇
;
王栩
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王栩
;
包大新
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包大新
;
杨正忠
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杨正忠
;
田海
论文数:
0
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田海
.
中国专利
:CN101050108A
,2007-10-10
[9]
一种宽温高磁导率低损耗NiCuZn软磁铁氧体材料及其制备方法
[P].
赵凡
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赵凡
;
胡登卫
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胡登卫
;
王妍
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王妍
;
杨旦旦
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杨旦旦
;
苗磊
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0
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苗磊
.
中国专利
:CN110655397B
,2020-01-07
[10]
一种高密度低损耗高磁导率铁氧体材料及制备方法
[P].
蒲成刚
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蒲成刚
;
张恩明
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张恩明
;
赵晓倩
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赵晓倩
;
吴传顺
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吴传顺
;
李丛俊
论文数:
0
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0
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李丛俊
.
中国专利
:CN105036730A
,2015-11-11
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