一种N型透明电极结构的功率型LED芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220694808.0

申请日：

2012-12-14

公开(公告)号：

CN203218311U

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

王洪吴跃锋黄华茂黄晓升

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3342

IPC分类号：

H01L3338

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101702104449 IPC(主分类):H01L 33/42 专利号:ZL2012206948080 申请日:20121214 授权公告日:20130925 终止日期:20151214
2013-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种N型透明电极结构的功率型LED芯片 [P].

王洪 ;

吴跃锋 ;

黄华茂 ;

黄晓升 .

中国专利 :CN103199171A ,2013-07-10

[2]

一种LED芯片 [P].

冯亚萍 ;

张溢 ;

金豫浙 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203521455U ,2014-04-02

[3]

一种LED芯片N电极的结构 [P].

尹宝堂 .

中国专利 :CN211605178U ,2020-09-29

[4]

一种N电极下N型区域部分刻蚀的LED芯片 [P].

张振 ;

黎连佳 ;

潘林 .

中国专利 :CN204361122U ,2015-05-27

[5]

一种功率型LED芯片 [P].

刘兴华 .

中国专利 :CN204577453U ,2015-08-19

[6]

一种具有反射型电流阻挡层的LED芯片 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 ;

梁伏波 ;

杨小东 ;

曹东兴 .

中国专利 :CN202094166U ,2011-12-28

[7]

GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 [P].

王立彬 ;

王良臣 .

中国专利 :CN101286540A ,2008-10-15

[8]

GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 [P].

陈宇 ;

王良臣 ;

伊晓燕 ;

郭金霞 .

中国专利 :CN101174661A ,2008-05-07

[9]

LED倒装芯片的N电极连接结构 [P].

王维昀 ;

周爱新 ;

毛明华 ;

李永德 ;

马涤非 ;

吴煊梁 .

中国专利 :CN203277487U ,2013-11-06

[10]

一种功率型LED芯片支架 [P].

朱晓东 ;

夏明颖 ;

闫永生 ;

董新芝 ;

崔东辉 .

中国专利 :CN202042511U ,2011-11-16

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