半导体超表面电磁波吸收器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910974243.8

申请日：

2019-10-14

公开(公告)号：

CN110703371B

公开(公告)日：

2020-01-17

发明(设计)人：

刘晓山钟浩宗付国兰刘桂强刘正奇

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市紫阳大道99号

IPC主分类号：

G02B500

IPC分类号：

代理机构：

南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126

代理人：

张建新

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-26	授权	授权
2021-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 5/00 申请日:20191014
2020-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

电磁波吸收器 [P].

武笠幸一 ;

纲渕辉幸 ;

末冈和久 .

中国专利 :CN1473004A ,2004-02-04

[2]

可调谐多波段超窄带电磁波吸收器 [P].

钟浩宗 ;

刘晓山 ;

刘桂强 ;

付国兰 ;

潘平平 ;

刘正奇 .

中国专利 :CN111308587B ,2020-06-19

[3]

基于半导体超表面结构的三频带近红外吸收器 [P].

刘正奇 ;

刘桂强 ;

刘晓山 .

中国专利 :CN106711271A ,2017-05-24

[4]

超薄多频段电磁波吸收器 [P].

崔铁军 ;

李惠 .

中国专利 :CN202085438U ,2011-12-21

[5]

超薄多频段电磁波吸收器 [P].

崔铁军 ;

李惠 .

中国专利 :CN102186330A ,2011-09-14

[6]

基于耐火材料的电磁波吸收器 [P].

刘正奇 ;

刘桂强 ;

陈齐奇 ;

唐鹏 ;

刘晓山 .

中国专利 :CN108333653A ,2018-07-27

[7]

超窄带超表面吸收器 [P].

高扬 ;

刘畅 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 .

中国专利 :CN115113309A ,2022-09-27

[8]

超窄带超表面吸收器 [P].

高扬 ;

刘畅 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 .

中国专利 :CN115113309B ,2025-07-15

[9]

超窄带超表面吸收器 [P].

刘畅 ;

高扬 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 .

中国专利 :CN217879701U ,2022-11-22

[10]

高性能磁电协同梯度宽频超材料电磁波吸收器的制备方法 [P].

黄毅 ;

马文乐 ;

刘晓燕 .

中国专利 :CN117594990A ,2024-02-23

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