离子注入方法及离子注入装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910648386.X
申请日
2019-07-18
公开(公告)号
CN110739213A
公开(公告)日
2020-01-31
发明(设计)人
川崎洋司 佐佐木玄
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21265
IPC分类号
H01L2167 H01J37317
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
朴勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
筱塚正光 .
日本专利 :CN120266251A ,2025-07-04
[2]
离子注入装置以及离子注入方法 [P]. 
石桥和久 ;
宫本恭宽 .
日本专利 :CN120380569A ,2025-07-25
[3]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
二口泰成 .
日本专利 :CN120266250A ,2025-07-04
[4]
离子注入方法及离子注入装置 [P]. 
二宫史郎 ;
越智昭浩 ;
木村靖彦 ;
冈本泰治 ;
弓山敏男 .
中国专利 :CN102723252A ,2012-10-10
[5]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
松下浩 ;
大北义明 .
中国专利 :CN108987225B ,2018-12-11
[6]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
石桥和久 .
中国专利 :CN112349573A ,2021-02-09
[7]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
山口干夫 ;
石桥和久 ;
工藤哲也 .
中国专利 :CN114914141A ,2022-08-16
[8]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
椛泽光昭 ;
石川雅基 ;
上野勇介 .
中国专利 :CN105023821B ,2015-11-04
[9]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
河津翔 ;
井门德安 .
中国专利 :CN110137066B ,2019-08-16
[10]
离子注入装置及离子注入方法 [P]. 
月原光国 .
中国专利 :CN115020175A ,2022-09-06