金属硅化物的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010510309.7

申请日：

2010-10-18

公开(公告)号：

CN102456557A

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

陈勇徐强唐兆云

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487776499 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010105103097 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121116
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274711945 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010105103097 申请日:20101018
2014-12-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709076679 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010105103097 申请公布日:20120516
2012-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

金属硅化物的形成方法 [P].

徐强 .

中国专利 :CN102456556A ,2012-05-16

[2]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

曾海 ;

花蔚蔚 .

中国专利 :CN115116837A ,2022-09-27

[3]

金属硅化物形成方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110890275B ,2020-03-17

[4]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137462A ,2013-06-05

[5]

自对准金属硅化物的形成方法 [P].

石永昱 ;

王栩 .

中国专利 :CN102142366A ,2011-08-03

[6]

金属硅化物层的形成方法 [P].

杨淋淋 ;

吴坚 ;

张贵军 .

中国专利 :CN113205994B ,2021-08-03

[7]

金属硅化物形成方法 [P].

孙晓峰 ;

高永亮 ;

丁海滨 .

中国专利 :CN102915918A ,2013-02-06

[8]

金属硅化物形成方法 [P].

鲍宇 ;

荆学珍 ;

平延磊 ;

肖海波 .

中国专利 :CN102832112A ,2012-12-19

[9]

金属硅化物的形成方法 [P].

冯秦旭 ;

林建树 ;

梁金娥 ;

张守龙 .

中国专利 :CN115527846A ,2022-12-27

[10]

金属硅化物的形成方法 [P].

杨瑞鹏 ;

胡宇慧 .

中国专利 :CN101197280A ,2008-06-11

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