基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610117819.5

申请日：

2016-03-02

公开(公告)号：

CN105789347B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L31028

IPC分类号：

H01L310288 H01L3111 H01L3118

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

田文英;王品华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674712967 IPC(主分类):H01L 31/028 专利申请号:2016101178195 申请日:20160302
2016-07-20	公开	公开
2017-10-24	授权	授权

共 50 条

[1]

基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法 [P].

韩根全 ;

王轶博 ;

张春福 ;

汪银花 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106024922A ,2016-10-12

[2]

波导型GeSn光电晶体管及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110890436B ,2020-03-17

[3]

光电晶体管及其制作方法 [P].

柯秋坛 .

中国专利 :CN111883598A ,2020-11-03

[4]

一种光电晶体管及其制作方法 [P].

张武安 ;

丁东民 ;

周盛 ;

吴刚 ;

蔡鹏飞 .

中国专利 :CN107887486B ,2024-04-05

[5]

一种光电晶体管及其制作方法 [P].

张武安 ;

丁东民 ;

周盛 ;

吴刚 ;

蔡鹏飞 .

中国专利 :CN107887486A ,2018-04-06

[6]

光电晶体管及其制备方法 [P].

顾鹏飞 ;

段正 ;

刘凤娟 ;

郭康 ;

袁广才 .

中国专利 :CN117810289A ,2024-04-02

[7]

基于CH3NH3PbI3材料的光电晶体管及其制作方法 [P].

韩根全 ;

张春福 ;

胡毓聪 ;

孙旭 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105576129A ,2016-05-11

[8]

双色异质结光电晶体管及其制备方法 [P].

林芳祁 ;

牛智川 ;

徐应强 ;

王国伟 ;

李农 ;

周文广 ;

蒋洞微 ;

蒋俊锴 ;

常发冉 ;

陈伟强 ;

李勇 .

中国专利 :CN114335232A ,2022-04-12

[9]

基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110828603B ,2020-02-21

[10]

光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法 [P].

汪巍 ;

方青 ;

涂芝娟 ;

曾友宏 ;

蔡艳 ;

王庆 ;

王书晓 ;

余明斌 .

中国专利 :CN110896115B ,2020-03-20

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