制造光子集成电路的方法、光子集成电路及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980020868.9

申请日：

2019-03-20

公开(公告)号：

CN111886528B

公开(公告)日：

2020-11-03

发明(设计)人：

郑大卫葛毅杨莉沈晓

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

G02B6136

IPC分类号：

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	公开	公开
2020-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/136 申请日:20190320
2022-05-10	授权	授权

共 50 条

[1]

光子集成电路以及制造光子集成电路的方法 [P].

克里斯蒂安·舍尔纳 ;

安东·布赫贝格尔 ;

雅各布·威廉·希努姆-瓦格纳 ;

德西蕾·里斯特 .

德国专利 :CN120858307A ,2025-10-28

[2]

光子电子集成电路芯片和制造光子电子集成电路芯片的方法 [P].

I·拉杜 ;

克里斯托夫·马勒维尔 .

法国专利 :CN118215866A ,2024-06-18

[3]

光子集成电路 [P].

S·盖尔贝 ;

C·鲍多特 ;

F·多芒吉 .

中国专利 :CN207650434U ,2018-07-24

[4]

光子集成电路 [P].

S·普罗伊 .

德国专利 :CN111624704B ,2024-10-01

[5]

光子集成电路 [P].

陆远林 .

中国专利 :CN109669243A ,2019-04-23

[6]

光子集成电路 [P].

S·普罗伊 .

中国专利 :CN111624704A ,2020-09-04

[7]

光子集成电路 [P].

C·加德纳 ;

J·德里斯科尔 ;

K·L·贝克特尔 .

英国专利 :CN118076293A ,2024-05-24

[8]

光子集成电路 [P].

汤姆·柯林斯 .

中国专利 :CN108345063B ,2018-07-31

[9]

光子集成电路及其制造方法 [P].

拉斯特科·帕伊科维奇 ;

埃尔温·安东纽斯·约瑟夫斯·玛丽亚·本特 ;

斯特凡诺斯·安德烈乌 ;

特奥多鲁斯·托马斯·马里纳斯·范·沙伊克 .

:CN119247643A ,2025-01-03

[10]

光子集成电路芯片的制造方法及光子集成电路芯片 [P].

孟怀宇 ;

沈亦晨 ;

陈小强 ;

朱云鹏 .

中国专利 :CN120233486A ,2025-07-01

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