一种基于SRAM的存内计算电路

被引：0

申请号：

CN202210585976.4

申请日：

2022-05-27

公开(公告)号：

CN114999544A

公开(公告)日：

2022-09-02

发明(设计)人：

贺雅娟张振伟骆宏阳王梓霖张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

G11C1141

IPC分类号：

G11C11413

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

孙一峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/41 申请日:20220527
2022-09-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种实现矩阵-向量乘法的全存内计算电路 [P].

孙仲 ;

王识清 ;

黄如 .

中国专利 :CN117672322A ,2024-03-08

[2]

一种基于布斯编码的存内计算电路 [P].

武晗 ;

贺雅娟 ;

潘本浩 .

中国专利 :CN120162294A ,2025-06-17

[3]

基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路 [P].

贺雅娟 ;

骆宏阳 ;

王梓霖 ;

张波 .

中国专利 :CN114937470A ,2022-08-23

[4]

基于8T-SRAM和电流镜的存内计算电路 [P].

彭春雨 ;

李嘉祥 ;

关立军 ;

闫声远 ;

王雅娜 ;

卢文娟 ;

赵强 ;

李鑫 ;

吴秀龙 ;

周永亮 .

中国专利 :CN117219140B ,2024-01-30

[5]

一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置 [P].

王超 ;

赵元声 ;

沈梓煊 ;

许家瑞 .

中国专利 :CN116483773B ,2025-11-04

[6]

一种基于6T-SRAM的存内计算电路结构 [P].

朱晓雷 ;

陈伊玲 ;

陈敬阳 ;

陈业宽 ;

孟依绮 .

中国专利 :CN118093507A ,2024-05-28

[7]

一种基于10T-SRAM的存内计算电路及存内计算方法 [P].

彭春雨 ;

左真昊 ;

徐士杰 ;

关立军 ;

李博宇 ;

蔺智挺 ;

吴秀龙 .

中国专利 :CN120448338A ,2025-08-08

[8]

基于6T-SRAM的二值权重网络存内计算电路、模块 [P].

卢文娟 ;

王思民 ;

汪婷 ;

戴成虎 ;

彭春雨 ;

吴秀龙 ;

蔺智挺 ;

陈军宁 .

中国专利 :CN118446268B ,2024-09-24

[9]

基于6T-SRAM的二值权重网络存内计算电路、模块 [P].

卢文娟 ;

王思民 ;

汪婷 ;

戴成虎 ;

彭春雨 ;

吴秀龙 ;

蔺智挺 ;

陈军宁 .

中国专利 :CN118446268A ,2024-08-06

[10]

基于非易失存储器件的存内计算电路和方法 [P].

李威 ;

阮爱武 ;

尹自强 ;

吴方明 ;

杜涛 .

中国专利 :CN114627937A ,2022-06-14

← 1 2 3 4 5 →