半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410001558.8

申请日：

2004-01-13

公开(公告)号：

CN1316630C

公开(公告)日：

2004-08-25

发明(设计)人：

中冈弘明濑部绍夫山田隆顺

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2711 H01L21336 H01L218234

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-08-25	公开	公开
2014-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101577930984 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2004100015588 申请日:20040113 授权公告日:20070516 终止日期:20130113
2007-05-16	授权	授权
2004-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

奥村喜纪 ;

上野修一 ;

古田阳雄 .

中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN103985756A ,2014-08-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

远藤真人 ;

荒井史隆 .

中国专利 :CN101794790A ,2010-08-04

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

小泽良夫 ;

田中正幸 ;

宫野清孝 ;

斋田繁彦 .

中国专利 :CN1211864C ,2003-07-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

保坂真弥 .

中国专利 :CN101203954B ,2008-06-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

远藤真人 ;

荒井史隆 .

中国专利 :CN102522406A ,2012-06-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

新川田裕树 .

中国专利 :CN102610611A ,2012-07-25

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