一种PVDF压电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110270126.0

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN112885956A

公开(公告)日：

2021-06-01

发明(设计)人：

管建国杨少华周长阳胡志军管涛

申请人：

申请人地址：

276800 山东省日照市高新区高新七路电子信息产业园A4区南楼二楼

IPC主分类号：

H01L41047

IPC分类号：

H01L41113 H01L41193 H01L4129 H01L41333

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司 44218

代理人：

卜令涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	公开	公开
2021-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/047 申请日:20210312

共 50 条

[1]

一种PVDF压电薄膜 [P].

管建国 ;

杨少华 ;

周长阳 ;

胡志军 ;

管涛 .

中国专利 :CN215299291U ,2021-12-24

[2]

一种PVDF压电薄膜及其制备方法 [P].

尤晖 ;

吴严严 ;

刘亚平 ;

卓能聪 ;

石城宇 ;

吴耀光 ;

蒙丹 ;

黄为良 ;

张丽文 ;

阮瑞成 .

中国专利 :CN115612145A ,2023-01-17

[3]

一种PVDF压电薄膜表面电极及其电路制备方法 [P].

吴彬彬 ;

祁一洲 ;

叶柳顺 ;

陈颖 .

中国专利 :CN118613132A ,2024-09-06

[4]

一种PVDF/WH复合压电薄膜及其制备方法 [P].

樊李红 ;

杨丽娜 ;

褚莹莹 .

中国专利 :CN118903540A ,2024-11-08

[5]

一种PVDF薄膜键盘 [P].

李建文 .

中国专利 :CN205211634U ,2016-05-04

[6]

一种PVDF压电薄膜传感器及其制备方法 [P].

周长阳 ;

任秀玲 ;

惠国政 ;

郑晓 ;

王昊 ;

张勇 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN117729835A ,2024-03-19

[7]

一种压电薄膜及其制备方法 [P].

王英辉 ;

王盛凯 .

中国专利 :CN112592502A ,2021-04-02

[8]

一种压电薄膜及其制备方法 [P].

向勇 ;

胡潇然 .

中国专利 :CN111048659A ,2020-04-21

[9]

一种压电薄膜及其制备方法 [P].

张千 ;

胡潇然 ;

向勇 .

中国专利 :CN115101661A ,2022-09-23

[10]

一种压电薄膜及其制备方法 [P].

张千 ;

胡潇然 ;

向勇 .

中国专利 :CN115101661B ,2025-04-08

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