具有凹陷栅极的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710096999.4

申请日：

2007-04-26

公开(公告)号：

CN101097957B

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

郑永均

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2704 H01L21336 H01L2128 H01L21822

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	公开	公开
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-06	授权	授权
2014-06-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583048685 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2007100969994 申请日:20070426 授权公告日:20101006 终止日期:20130426

共 50 条

[1]

制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法 [P].

吴相录 ;

刘载善 .

中国专利 :CN100570825C ,2008-09-17

[2]

制造具有球形凹陷栅极的半导体器件的方法 [P].

曹祥薰 .

中国专利 :CN101197322A ,2008-06-11

[3]

半导体器件中凹陷栅极的制造方法 [P].

张世亿 ;

赵兴在 ;

金泰润 .

中国专利 :CN100590816C ,2008-04-02

[4]

制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法 [P].

赵瑢泰 ;

金锡基 ;

曹祥薰 .

中国专利 :CN101174563A ,2008-05-07

[5]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[6]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[7]

具有凹陷沟道结构的半导体器件及其制造方法 [P].

崔康植 .

中国专利 :CN101211912B ,2008-07-02

[8]

具有周围栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朴允童 ;

金锡必 .

中国专利 :CN101017820A ,2007-08-15

[9]

制造具有凹陷栅极结构的半导体器件的方法 [P].

金钟万 ;

李昌九 ;

金钟植 ;

元泽拉 .

中国专利 :CN100463113C ,2007-01-10

[10]

具有球形凹陷栅极的半导体器件的制造方法 [P].

赵俊熙 .

中国专利 :CN101047119A ,2007-10-03

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