一种Tm掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310197262.7

申请日：

2013-05-24

公开(公告)号：

CN103305913A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

林鸿良陈俊

申请人：

申请人地址：

230041 安徽省合肥市庐阳工业园汲桥路55号3号厂房

IPC主分类号：

C30B2930

IPC分类号：

C09K1182

代理机构：

安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112

代理人：

余成俊

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747586614 IPC(主分类):C30B 29/30 专利申请号:2013101972627 申请公布日:20130918
2013-09-18	公开	公开
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531537555 IPC(主分类):C30B 29/30 专利申请号:2013101972627 申请日:20130524

共 50 条

[1]

一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103320132A ,2013-09-25

[2]

一种Cr、Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305220A ,2013-09-18

[3]

一种Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103320860A ,2013-09-25

[4]

一种Tm掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305915A ,2013-09-18

[5]

一种 Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305914A ,2013-09-18

[6]

一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305916A ,2013-09-18

[7]

一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305912A ,2013-09-18

[8]

铌酸盐TmyHozBi1-y-zNbO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

王金华 .

中国专利 :CN103451733A ,2013-12-18

[9]

钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

张庆礼 ;

殷绍唐 ;

孙敦陆 ;

许兰 ;

刘文鹏 ;

罗建乔 .

中国专利 :CN102071462A ,2011-05-25

[10]

掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

张庆礼 ;

殷绍唐 ;

孙敦陆 ;

刘文鹏 ;

丁丽华 ;

谷长江 ;

秦清海 ;

李为民 .

中国专利 :CN101445727A ,2009-06-03

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