一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111214484.6

申请日：

2021-10-19

公开(公告)号：

CN114044516A

公开(公告)日：

2022-02-15

发明(设计)人：

叶林蓝利芳刘鹤杨超刘伟星刘艳丽陈杰杨山

申请人：

申请人地址：

516100 广东省惠州市博罗县园洲镇东坡大道欣旺达产业园4号、5号、6号、17号厂房1-4楼、18号厂房

IPC主分类号：

C01B32348

IPC分类号：

C01B3303 C01B33023 C01B3302 H01M41393 H01M436 H01M4583

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

潘俊达;王滔

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

叶林 ;

蓝利芳 ;

刘鹤 ;

杨超 ;

刘伟星 ;

刘艳丽 ;

陈杰 ;

杨山 .

中国专利 :CN114044516B ,2024-01-16

[2]

硅碳负极材料及其制备方法、负极片以及二次电池 [P].

林宁 ;

徐涛 .

中国专利 :CN119890258A ,2025-04-25

[3]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

何永 ;

于培峰 ;

马斌 ;

吴声本 .

中国专利 :CN119864392A ,2025-04-22

[4]

硅碳负极材料及其制备方法、负极片、二次电池和涉电设备 [P].

杨守斌 ;

陈佳佳 ;

黄康 ;

姚鑫鑫 ;

罗小来 ;

王广舒 .

中国专利 :CN119627068A ,2025-03-14

[5]

硅碳负极材料及其制备方法、负极极片及二次电池 [P].

方梓行 ;

马斌 ;

吴声本 .

中国专利 :CN120221633A ,2025-06-27

[6]

多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119833635B ,2025-11-18

[7]

多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119833635A ,2025-04-15

[8]

硅碳负极材料及其制备方法与二次电池 [P].

李宁 ;

傅儒生 ;

葛传长 ;

晏旎 ;

仰韻霖 .

中国专利 :CN120690848A ,2025-09-23

[9]

一种硅碳负极材料及其制备方法、负极片和二次电池 [P].

郑文 ;

高云雷 ;

张弛 ;

陈星 ;

刘亚津 .

中国专利 :CN120221615A ,2025-06-27

[10]

硅碳复合材料及其制备方法、负极片、二次电池 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115084491A ,2022-09-20

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	公开	公开
2022-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/348 申请日:20211019