氮化物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480015121.8

申请日：

2004-05-27

公开(公告)号：

CN100370661C

公开(公告)日：

2006-07-05

发明(设计)人：

神川刚金子佳加元木健作

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-05	公开	公开
2006-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-20	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光器件 [P].

朴英豪 ;

曹孝京 ;

柳承珍 ;

高建维 .

中国专利 :CN1630110A ,2005-06-22

[2]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24

[3]

氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101188262B ,2008-05-28

[4]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101499618B ,2009-08-05

[5]

氮化物半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

川口佳伸 .

中国专利 :CN101499619B ,2009-08-05

[6]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21

[7]

氮化物半导体发光器件 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101431141B ,2009-05-13

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

黄硕珉 ;

金显炅 ;

高健维 ;

洪相寿 ;

李奎翰 ;

闵垘基 .

中国专利 :CN1913186A ,2007-02-14

[9]

氮化物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

长滨慎一 ;

岩佐成人 ;

清久裕之 .

中国专利 :CN1132942A ,1996-10-09

[10]

氮化物半导体发光器件 [P].

金显炅 ;

申贤秀 ;

李赫民 ;

片仁俊 ;

金昌完 .

中国专利 :CN100420051C ,2006-10-04

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