气相成长装置用喷嘴

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200630303514.0

申请日：

2006-11-27

公开(公告)号：

CN300712989D

公开(公告)日：

2007-11-28

发明(设计)人：

古谷弘中泽诚一西林道生

申请人：

申请人地址：

日本静冈县

IPC主分类号：

1599

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

张文达

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-28	授权	授权
2013-11-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101675936155 主分类号:15-99 专利号:ZL2006303035140 变更事项:专利权人变更前:纽富来科技股份有限公司变更后:纽富来科技股份有限公司变更事项:地址变更前:日本静冈县变更后:日本神奈川县
2016-12-28	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101693576933 主分类号:15-99 专利号:ZL2006303035140 申请日:20061127 授权公告日:20071128 终止日期:无

共 50 条

[1]

气雾喷嘴 [P].

吴海青 ;

高景新 ;

张克 .

中国专利 :CN303267464S ,2015-07-01

[2]

气提喷嘴 [P].

M·普弗伦特纳 ;

E·西韦特 .

中国专利 :CN307403556S ,2022-06-14

[3]

气辅喷嘴 [P].

贺兴宏 .

中国专利 :CN304869941S ,2018-10-30

[4]

低温磊晶成长的化学气相沉积仪 [P].

何焱腾 ;

陈乃榕 .

中国专利 :CN115821231B ,2024-10-11

[5]

喷嘴（高压无气） [P].

高远景 .

中国专利 :CN306063618S ,2020-09-22

[6]

液体喷出用喷嘴 [P].

佐藤纪胜 ;

山本太郎 .

中国专利 :CN301752121S ,2011-12-07

[7]

等离子处理装置用上气室 [P].

植村崇 ;

佐藤浩平 ;

田内勤 .

中国专利 :CN304062058S ,2017-03-01

[8]

等离子处理装置用上气室 [P].

田内勤 ;

植村崇 ;

佐藤浩平 .

中国专利 :CN303655666S ,2016-04-27

[9]

半导体成膜装置用供气喷嘴 [P].

及川大海 ;

高村侑矢 ;

坂下训康 .

中国专利 :CN306298547S ,2021-01-26

[10]

喷嘴（2019气液分离） [P].

谢卫志 .

中国专利 :CN305435207S ,2019-11-12

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