功率放大器模组中砷化镓芯片的封装结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201220739067.3
申请日
2012-12-28
公开(公告)号
CN203013701U
公开(公告)日
2013-06-19
发明(设计)人
吕致纬
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新区汉江路5号侧
IPC主分类号
H01L2312
IPC分类号
H01L2314 H01L23367
代理机构
无锡市大为专利商标事务所 32104
代理人
曹祖良
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
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曹原 ;
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