高电子迁移率晶体管器件

被引：0

申请号：

CN202210067602.3

申请日：

2017-12-04

公开(公告)号：

CN114582971A

公开(公告)日：

2022-06-03

发明(设计)人：

艾曼·谢比卜凯尔·特里尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2978 H01L29861 H01L21335 H01L218252 H01L29205 H01L29423 H01L2910 H01L2920 H01L29207

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20171204
2022-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管器件 [P].

艾曼·谢比卜 ;

凯尔·特里尔 .

中国专利 :CN108155232B ,2018-06-12

[2]

高电子迁移率晶体管器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209747519U ,2019-12-06

[3]

高电子迁移率晶体管 [P].

肖金平 ;

逯永建 ;

闻永祥 ;

贾利芳 .

中国专利 :CN211789027U ,2020-10-27

[4]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[5]

高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法 [P].

阿布舍克·班纳吉 ;

皮特·莫昂 ;

赫伯特·德维利斯古威尔 ;

彼得·科庞 .

中国专利 :CN114725213A ,2022-07-08

[6]

高电子迁移率晶体管HEMT器件 [P].

F·尤克拉诺 ;

A·齐尼 .

中国专利 :CN206412367U ,2017-08-15

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

乔夫·德卢伊 .

:CN110754002B ,2024-03-19

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

张峻铭 ;

侯俊良 ;

廖文荣 .

中国专利 :CN112310210A ,2021-02-02

[9]

高电子迁移率晶体管 [P].

黄仁俊 ;

吴在浚 ;

李在垣 ;

崔孝枝 ;

河种奉 .

中国专利 :CN103151374A ,2013-06-12

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

邱显钦 ;

童建凯 ;

林恒光 ;

杨治琟 ;

王祥骏 .

中国专利 :CN109390396A ,2019-02-26

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