一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510147291.1

申请日：

2015-03-31

公开(公告)号：

CN104831241A

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

何云斌黎明锴丁雅丽张蕾尚勋忠常钢李派

申请人：

申请人地址：

430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1406

代理机构：

北京汇信合知识产权代理有限公司 11335

代理人：

吴甘棠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624659551 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2015101472911 申请日:20150331
2017-08-15	授权	授权
2015-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备SnO外延薄膜的方法 [P].

何云斌 ;

黎明锴 ;

郑丽兰 ;

李派 ;

卢寅梅 .

中国专利 :CN104790029B ,2015-07-22

[2]

一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法 [P].

黄冠麟 ;

崔书山 ;

林木 ;

黎雨 ;

万见峰 .

中国专利 :CN104561918A ,2015-04-29

[3]

在基材上形成Sn－Ag－Cu三元合金薄膜的方法 [P].

三浦茂纪 .

中国专利 :CN101048536A ,2007-10-03

[4]

一种三元非晶合金薄膜及其制备方法 [P].

王建国 ;

刘霄 ;

周靖 .

中国专利 :CN114574786A ,2022-06-03

[5]

一种溅射法制备高度取向的CuInS2外延薄膜的方法 [P].

何云斌 ;

方金钢 ;

尚勋忠 ;

王志强 ;

黎明锴 ;

常钢 ;

周桃生 ;

尹向阳 .

中国专利 :CN102796988B ,2012-11-28

[6]

一种三元合金封接材料的制备方法 [P].

熊兰兰 .

中国专利 :CN105177342A ,2015-12-23

[7]

二维硒基三元合金纳米薄膜及其制备方法和应用 [P].

古瑞琴 ;

郭海周 ;

周勇峰 ;

杨志博 ;

高胜国 ;

张小水 .

中国专利 :CN117626194A ,2024-03-01

[8]

一种Al1-xInxN三元合金纳米晶薄膜及其制备方法 [P].

吴丽君 ;

刘俊 ;

齐东丽 ;

迟宝倩 .

中国专利 :CN110344012A ,2019-10-18

[9]

一种铝钨钽三元中间合金的生产方法 [P].

王巍 ;

张吉 ;

王志军 ;

刘强 ;

朱嘉琪 ;

李晓冉 ;

孟旭 ;

张登魁 ;

张一博 ;

王磊 ;

佟立凯 .

中国专利 :CN117344191B ,2025-12-02

[10]

一种铝钨钽三元中间合金的生产方法 [P].

王巍 ;

张吉 ;

王志军 ;

刘强 ;

朱嘉琪 ;

李晓冉 ;

孟旭 ;

张登魁 ;

张一博 ;

王磊 ;

佟立凯 .

中国专利 :CN117344191A ,2024-01-05

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