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雪崩光电二极管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110261431.3
申请日：
2021-03-10
公开(公告)号：
CN113540266A
公开(公告)日：
2021-10-22
发明(设计)人：
M·D·莱维 S·P·埃杜苏米利 J·J·埃利斯-莫纳甘 V·贾因 R·哈兹布恩 P·东莫 C·E·路斯 S·M·尚克 R·克里希纳萨米
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L310232
IPC分类号：
H01L310352 H01L31107 H01L3118
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
贺月娇;杨晓光
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-09 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0232 申请日:20210310
2021-10-22 公开 公开
共 50 条
[1]
雪崩光电二极管 [P]. 
M·D·莱维 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
V·贾因 ;
R·哈兹布恩 ;
P·东莫 ;
C·E·路斯 ;
S·M·尚克 ;
R·克里希纳萨米 .
美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27
[2]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
M·D·莱维 ;
E·W·基瓦拉 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 .
中国专利 :CN113972297A ,2022-01-25
[3]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
M·D·莱维 ;
V·贾因 ;
A·斯特姆 .
美国专利 :CN113745364B ,2024-06-18
[4]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 ;
M·D·莱维 ;
V·贾因 ;
A·斯特姆 .
中国专利 :CN113745364A ,2021-12-03
[5]
光电二极管和/或PIN二极管结构 [P]. 
M·D·莱维 ;
E·W·基瓦拉 ;
S·P·埃杜苏米利 ;
J·J·埃利斯-莫纳甘 .
美国专利 :CN113972297B ,2024-12-20
[6]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN100557826C ,2007-10-03
[7]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101431118B ,2009-05-13
[8]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101232057A ,2008-07-30
[9]
雪崩光电二极管 [P]. 
柳生荣治 ;
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101180740A ,2008-05-14
[10]
雪崩光电二极管 [P]. 
A·兹莫 ;
D·戈兰斯基 ;
S·普雷斯 ;
G·玛钱德 .
:CN222582874U ,2025-03-07
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