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晶体硅太阳电池的漏电处理方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810040765.6
申请日
:
2018-01-16
公开(公告)号
:
CN108198910A
公开(公告)日
:
2018-06-22
发明(设计)人
:
夏世伟
张为国
张松
韩向超
杨崇文
陈寒
申请人
:
申请人地址
:
201100 上海市闵行区万芳路555号4幢8层
IPC主分类号
:
H01L3118
IPC分类号
:
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
刘雯
法律状态
:
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-13
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/18 申请公布日:20180622
2018-07-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20180116
2018-06-22
公开
公开
共 50 条
[1]
晶体硅太阳电池
[P].
邹凯
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邹凯
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和江变
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和江变
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周国华
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周国华
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马承鸿
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马承鸿
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李健
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李健
.
中国专利
:CN205376542U
,2016-07-06
[2]
晶体硅太阳电池片
[P].
贾河顺
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贾河顺
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姜言森
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姜言森
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程亮
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程亮
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任现坤
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任现坤
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张春艳
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张春艳
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孙继峰
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孙继峰
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马继磊
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马继磊
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徐振华
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徐振华
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李钢
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李钢
.
中国专利
:CN302510444S
,2013-07-24
[3]
晶体硅太阳电池背点接触结构的制备方法
[P].
王懿喆
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王懿喆
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周呈悦
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周呈悦
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马小凤
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马小凤
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梅伟芳
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梅伟芳
.
中国专利
:CN101800267B
,2010-08-11
[4]
晶体硅太阳电池及晶体硅太阳电池的组合电池
[P].
吉河训太
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吉河训太
.
中国专利
:CN113826214A
,2021-12-21
[5]
晶体硅太阳电池及其制备方法
[P].
谭伟华
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谭伟华
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孙翔
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孙翔
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赵志强
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赵志强
.
中国专利
:CN110931572A
,2020-03-27
[6]
N型高效晶体硅太阳电池及其制备方法
[P].
贾锐
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贾锐
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陶科
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陶科
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孙恒超
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孙恒超
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瞿辉
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瞿辉
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徐春
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徐春
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曹玉甲
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曹玉甲
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汤佳丽
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汤佳丽
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刘斌
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刘斌
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陈必华
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陈必华
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周颖
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周颖
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中国专利
:CN109004047A
,2018-12-14
[7]
晶体硅太阳电池背电极
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周之斌
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周之斌
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刘阳
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刘阳
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丁开顺
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丁开顺
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汪甡杰
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汪甡杰
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方超
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马玉锋
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方健
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方健
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杨健
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杨健
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中国专利
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,2011-09-07
[8]
全旁路保护晶体硅太阳电池组件
[P].
常纪鹏
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常纪鹏
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卢刚
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卢刚
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何凤琴
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何凤琴
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孟庆平
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孟庆平
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中国专利
:CN209691768U
,2019-11-26
[9]
晶体硅太阳电池
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甘旭
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甘旭
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黄岳文
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李华维
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孙励斌
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徐晓群
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徐晓群
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殷海亭
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殷海亭
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李志强
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李志强
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唐则祁
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唐则祁
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胡宏勋
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胡宏勋
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中国专利
:CN201323200Y
,2009-10-07
[10]
晶体硅太阳电池
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黄岳文
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黄岳文
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甘旭
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甘旭
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季凯春
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季凯春
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李华维
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李华维
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陈斌
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孙励斌
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徐晓群
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唐则祁
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胡宏勋
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胡宏勋
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