场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310265445.8

申请日：

2013-06-27

公开(公告)号：

CN104253151B

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

张硕芮强王根毅邓小社

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-31	公开	公开
2017-06-27	授权	授权
2017-10-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/739 变更事项:专利权人变更前:无锡华润上华半导体有限公司变更后:无锡华润上华科技有限公司变更事项:地址变更前:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更后:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596397609 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2013102654458 申请日:20130627

共 50 条

[1]

场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 [P].

张硕 ;

芮强 ;

邓小社 ;

王根毅 .

中国专利 :CN104282741A ,2015-01-14

[2]

场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 [P].

张硕 ;

芮强 ;

邓小社 ;

王根毅 .

中国专利 :CN104253153A ,2014-12-31

[3]

反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制造方法 [P].

黄璇 ;

王万礼 ;

王根毅 .

中国专利 :CN104425252A ,2015-03-18

[4]

反向导通场截止绝缘栅双极型晶体管的制造方法 [P].

黄璇 ;

王万礼 ;

王根毅 .

中国专利 :CN104425258A ,2015-03-18

[5]

反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法 [P].

张硕 ;

芮强 ;

王根毅 ;

邓小社 .

中国专利 :CN104425245A ,2015-03-18

[6]

反向导通绝缘栅双极型晶体管 [P].

张硕 ;

芮强 ;

王根毅 ;

邓小社 .

中国专利 :CN104425578B ,2015-03-18

[7]

反向导通绝缘栅双极型晶体管 [P].

曾根田真也 ;

西康一 ;

小西和也 ;

海老原洪平 .

日本专利 :CN118658876A ,2024-09-17

[8]

反向导通场截止型绝缘栅双极型晶体管的制备方法 [P].

王万礼 ;

黄璇 ;

邓小社 ;

王根毅 .

中国专利 :CN104425260A ,2015-03-18

[9]

反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法 [P].

王万礼 ;

邓小社 ;

王根毅 ;

芮强 .

中国专利 :CN104425259B ,2015-03-18

[10]

一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管制备方法 [P].

陈万军 ;

刘亚伟 ;

刘承芳 ;

陶宏 ;

刘杰 ;

张波 .

中国专利 :CN106898554A ,2017-06-27

← 1 2 3 4 5 →