一种磁控溅射离子镀方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200610144822.2
申请日
2006-11-21
公开(公告)号
CN100560788C
公开(公告)日
2008-06-04
发明(设计)人
郭丽芬 钟源 宫清
申请人
申请人地址
518119广东省深圳市龙岗区葵涌镇延安路比亚迪工业园
IPC主分类号
C23C1435
IPC分类号
C23C1454 C23C1414
代理机构
北京润平知识产权代理有限公司
代理人
王凤桐;董占敏
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高能级磁控溅射离子镀技术 [P]. 
陈宝清 ;
朱英臣 ;
王玉魁 ;
王斐杰 .
中国专利 :CN85102600B ,1986-09-17
[2]
非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备 [P]. 
文晓斌 ;
栾亚 .
中国专利 :CN202643827U ,2013-01-02
[3]
非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备 [P]. 
文晓斌 ;
栾亚 .
中国专利 :CN102677011B ,2012-09-19
[4]
一种对靶孪生磁控溅射离子镀沉积装置 [P]. 
范湘军 ;
彭友贵 ;
杨兵 ;
付德君 .
中国专利 :CN100392147C ,2006-01-11
[5]
一种磁控溅射离子镀双层膜用炉 [P]. 
马晓明 .
中国专利 :CN204779791U ,2015-11-18
[6]
轴承滚柱非平衡磁控溅射离子镀装置 [P]. 
刘长明 ;
陈玲芳 .
中国专利 :CN203999795U ,2014-12-10
[7]
应用于真空电弧离子镀及磁控溅射离子镀的驱动电源 [P]. 
窦久存 .
中国专利 :CN210958121U ,2020-07-07
[8]
一种磁控溅射离子镀双层膜用炉及方法 [P]. 
马晓明 .
中国专利 :CN104975266A ,2015-10-14
[9]
轴承滚柱非平衡磁控溅射离子镀装置及方法 [P]. 
刘长明 ;
陈玲芳 .
中国专利 :CN104328380A ,2015-02-04
[10]
一种微波离子源辅助的磁控溅射离子镀装置 [P]. 
陈炳州 .
中国专利 :CN213925000U ,2021-08-10