可低温烧结的微波介电陶瓷LiSmNb2O7及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310510722.7

申请日：

2013-10-27

公开(公告)号：

CN103553608A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

方亮唐莹李洁

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	公开	公开
2016-06-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734392518 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2013105107227 申请公布日:20140205
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576330527 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2013105107227 申请日:20131027

共 50 条

[1]

可低温烧结的微波介电陶瓷SrCuV2O7及其制备方法 [P].

方亮 ;

韦珍海 ;

向飞 .

中国专利 :CN103467095A ,2013-12-25

[2]

可低温烧结微波介电陶瓷Li2MgNb2O7及其制备方法 [P].

李洁 ;

唐莹 ;

方亮 .

中国专利 :CN104058745B ,2014-09-24

[3]

可低温烧结的微波介电陶瓷Li2Ca2Si2O7及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

邓婧 ;

方亮 .

中国专利 :CN103496959B ,2014-01-08

[4]

可低温烧结的微波介电陶瓷Li2BiNb3O10及其制备方法 [P].

唐莹 ;

方亮 ;

李洁 .

中国专利 :CN103539452A ,2014-01-29

[5]

可低温烧结微波介电陶瓷Li4P2O7及其制备方法 [P].

方亮 ;

李洁 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103922721B ,2014-07-16

[6]

低温烧结微波介电陶瓷CaBi2O4及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

方亮 ;

李洁 .

中国专利 :CN103524126A ,2014-01-22

[7]

可低温烧结微波介电陶瓷Li2Zn3WO7及其制备方法 [P].

李洁 ;

唐莹 ;

方亮 .

中国专利 :CN104045344A ,2014-09-17

[8]

可低温烧结微波介电陶瓷LiMgV3O9及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

唐莹 ;

方亮 .

中国专利 :CN104058747A ,2014-09-24

[9]

可低温烧结的微波介电陶瓷Sr2WCuO6 [P].

方亮 ;

韦珍海 ;

向飞 .

中国专利 :CN103449814A ,2013-12-18

[10]

可低温烧结微波介电陶瓷LiNd2V3O11及其制备方法 [P].

郭欢欢 ;

唐莹 ;

方亮 .

中国专利 :CN104058746B ,2014-09-24

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