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光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980041635.7
申请日
:
2019-06-24
公开(公告)号
:
CN112400138A
公开(公告)日
:
2021-02-23
发明(设计)人
:
上野雅义
山田弘一
千叶彬史
杉户健
堀内淳矢
牧野岛高史
越后雅敏
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
G03F711
IPC分类号
:
C08F248
C08F404
C08F438
C08F2240
G03F720
G03F726
H01L21027
C08F22028
代理机构
:
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
:
刘新宇;李茂家
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-06-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/11 申请日:20190624
2021-02-23
公开
公开
共 50 条
[1]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法
[P].
堀内淳矢
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堀内淳矢
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上野雅义
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上野雅义
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山田弘一
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山田弘一
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牧野岛高史
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牧野岛高史
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越后雅敏
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越后雅敏
.
中国专利
:CN112368644A
,2021-02-12
[2]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
[P].
堀内淳矢
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堀内淳矢
;
牧野岛高史
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牧野岛高史
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越后雅敏
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越后雅敏
.
中国专利
:CN113166415A
,2021-07-23
[3]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法
[P].
山根正大
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山根正大
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山田弘一
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山田弘一
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堀内淳矢
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堀内淳矢
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牧野岛高史
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牧野岛高史
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越后雅敏
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越后雅敏
.
中国专利
:CN113039177A
,2021-06-25
[4]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法
[P].
越后雅敏
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越后雅敏
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东原豪
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东原豪
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内山直哉
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内山直哉
.
中国专利
:CN106094440A
,2016-11-09
[5]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法
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越后雅敏
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越后雅敏
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东原豪
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东原豪
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内山直哉
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内山直哉
.
中国专利
:CN103733136A
,2014-04-16
[6]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
[P].
冈田佳奈
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机构:
三菱瓦斯化学株式会社
三菱瓦斯化学株式会社
冈田佳奈
;
堀内淳矢
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三菱瓦斯化学株式会社
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堀内淳矢
;
牧野岛高史
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三菱瓦斯化学株式会社
牧野岛高史
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越后雅敏
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三菱瓦斯化学株式会社
三菱瓦斯化学株式会社
越后雅敏
.
日本专利
:CN110637256B
,2024-01-09
[7]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
[P].
冈田佳奈
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冈田佳奈
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堀内淳矢
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堀内淳矢
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牧野岛高史
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牧野岛高史
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越后雅敏
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越后雅敏
.
中国专利
:CN110637256A
,2019-12-31
[8]
光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
[P].
冈田佳奈
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牧野嶋高史
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越后雅敏
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东原豪
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东原豪
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大越笃
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大越笃
.
中国专利
:CN107430344A
,2017-12-01
[9]
光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法
[P].
冈田佳奈
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冈田佳奈
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牧野嶋高史
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牧野嶋高史
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越后雅敏
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越后雅敏
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大越笃
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大越笃
.
中国专利
:CN107533297A
,2018-01-02
[10]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法
[P].
樋田匠
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樋田匠
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牧野嶋高史
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牧野嶋高史
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佐藤隆
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佐藤隆
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越后雅敏
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越后雅敏
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中国专利
:CN107949808B
,2018-04-20
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