光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980041635.7
申请日
2019-06-24
公开(公告)号
CN112400138A
公开(公告)日
2021-02-23
发明(设计)人
上野雅义 山田弘一 千叶彬史 杉户健 堀内淳矢 牧野岛高史 越后雅敏
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G03F711
IPC分类号
C08F248 C08F404 C08F438 C08F2240 G03F720 G03F726 H01L21027 C08F22028
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇;李茂家
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法 [P]. 
堀内淳矢 ;
上野雅义 ;
山田弘一 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN112368644A ,2021-02-12
[2]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN113166415A ,2021-07-23
[3]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜和图案形成方法 [P]. 
山根正大 ;
山田弘一 ;
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN113039177A ,2021-06-25
[4]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
东原豪 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN106094440A ,2016-11-09
[5]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
越后雅敏 ;
东原豪 ;
内山直哉 .
中国专利 :CN103733136A ,2014-04-16
[6]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
日本专利 :CN110637256B ,2024-01-09
[7]
光刻用膜形成材料、光刻用膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
堀内淳矢 ;
牧野岛高史 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN110637256A ,2019-12-31
[8]
光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
牧野嶋高史 ;
越后雅敏 ;
东原豪 ;
大越笃 .
中国专利 :CN107430344A ,2017-12-01
[9]
光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及图案形成方法 [P]. 
冈田佳奈 ;
牧野嶋高史 ;
越后雅敏 ;
东原豪 ;
大越笃 .
中国专利 :CN107533297A ,2018-01-02
[10]
光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法 [P]. 
樋田匠 ;
牧野嶋高史 ;
佐藤隆 ;
越后雅敏 .
中国专利 :CN107949808B ,2018-04-20