MOS晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210121122.7

申请日：

2012-04-23

公开(公告)号：

CN103377933B

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

赵猛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	授权	授权
2013-10-30	公开	公开
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545322989 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012101211227 申请日:20120423

共 50 条

[1]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377935B ,2013-10-30

[2]

晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101567318A ,2009-10-28

[3]

MOS晶体管器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103579308A ,2014-02-12

[4]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101752253B ,2010-06-23

[5]

MOS晶体管的制造方法 [P].

李奉载 .

中国专利 :CN102044434A ,2011-05-04

[6]

MOS晶体管的制造方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN104078361B ,2014-10-01

[7]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102543747A ,2012-07-04

[8]

垂直MOS晶体管的制造方法 [P].

原田博文 .

中国专利 :CN1536630A ,2004-10-13

[9]

MOS晶体管的制造方法 [P].

陈品翰 .

中国专利 :CN109473357B ,2019-03-15

[10]

NMOS晶体管的制造方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN103000522A ,2013-03-27

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