一种硅基微纳米二级结构超疏水表面的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201711491039.8
申请日
2017-12-30
公开(公告)号
CN108165058A
公开(公告)日
2018-06-15
发明(设计)人
董健 金焱立 龙芝剑 董鹤
申请人
申请人地址
310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处
IPC主分类号
C09D100
IPC分类号
C30B3310
代理机构
杭州天正专利事务所有限公司 33201
代理人
王兵;黄美娟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种硅基超疏水表面的制备方法 [P]. 
杨成娟 ;
朱佳晶 ;
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