温度传感器薄膜、导电薄膜及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080012745.3

申请日：

2020-01-24

公开(公告)号：

CN113412417A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

澁谷克则宫本幸大安井智史

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

G01K718

IPC分类号：

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	公开	公开
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01K 7/18 申请日:20200124

共 50 条

[1]

温度传感器薄膜、导电薄膜及其制造方法 [P].

宫本幸大 ;

中岛一裕 ;

安井智史 .

中国专利 :CN113474626A ,2021-10-01

[2]

导电薄膜、导电薄膜卷绕体及其制造方法、以及温度传感器薄膜 [P].

中岛一裕 ;

宫本幸大 ;

梨木智刚 .

中国专利 :CN113396322A ,2021-09-14

[3]

温度传感器膜、导电膜及其制造方法 [P].

安井智史 ;

宫本幸大 ;

涩谷克则 .

中国专利 :CN114467151A ,2022-05-10

[4]

薄膜电阻温度传感器及其制造方法 [P].

董述恂 ;

龙峰洲 .

中国专利 :CN1184462C ,2003-07-30

[5]

透明导电薄膜及其制造方法 [P].

佐佐和明 ;

山本祐辅 ;

待永广宣 .

中国专利 :CN104937676A ,2015-09-23

[6]

透明导电薄膜及其制造方法 [P].

佐佐和明 ;

山本祐辅 ;

待永广宣 .

中国专利 :CN104919541A ,2015-09-16

[7]

薄膜温度传感器 [P].

郭七一 .

中国专利 :CN2041425U ,1989-07-19

[8]

温度传感器的铂薄膜制造方法 [P].

武蕴忠 ;

李生强 .

中国专利 :CN1014280B ,1990-06-06

[9]

透明导电薄膜的制造方法 [P].

佐佐和明 ;

山本祐辅 ;

待永广宣 .

中国专利 :CN104937678A ,2015-09-23

[10]

薄膜触摸传感器及其制造方法 [P].

崔镕锡 ;

俞炳默 ;

尹柱仁 ;

朴胜俊 ;

朴珉赫 ;

朴盛焕 ;

尹亿根 .

中国专利 :CN107003763A ,2017-08-01

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