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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510640874.8
申请日：
2015-09-30
公开(公告)号：
CN106558498B
公开(公告)日：
2017-04-05
发明(设计)人：
李勇
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L218238
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
高静;吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-04-05 | 公开 | 公开 |
| 2017-05-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101716977011 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015106408748 申请日:20150930 |
| 2019-11-01 | 授权 | 授权 |