一种用于光电催化的CuFeO2纳米材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610838256.9

申请日：

2016-09-20

公开(公告)号：

CN106268813A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

刘志华张晶

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区津静公路26号

IPC主分类号：

B01J23745

IPC分类号：

C01B304 C01G4902

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702564192 IPC(主分类):B01J 23/745 专利申请号:2016108382569 申请日:20160920
2019-11-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J 23/745 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于光电催化的核壳结构纳米复合材料的制备方法 [P].

刘志华 ;

张晶 ;

刘志锋 .

中国专利 :CN106475118A ,2017-03-08

[2]

一种用于光电催化的CaBi2O4薄膜电极的制备方法 [P].

刘志华 ;

王轩 ;

刘志锋 .

中国专利 :CN107604344A ,2018-01-19

[3]

一种新型光电催化材料电极的制备方法 [P].

王凤武 ;

毛雨路 ;

徐迈 ;

王智成 ;

朱传高 ;

方文彦 ;

魏亦军 .

中国专利 :CN108048867A ,2018-05-18

[4]

一种用于光电催化的ZnTiO3薄膜的制备方法 [P].

刘志华 ;

张晶 .

中国专利 :CN106367738A ,2017-02-01

[5]

一种光电催化光阳极纳米材料及其制备方法 [P].

常焜 ;

卢秋杭 ;

丁玲玲 ;

刘帅帅 ;

方帆 .

中国专利 :CN115896851B ,2025-07-25

[6]

一种光电催化制备氯气的方法 [P].

许维国 ;

李娜 ;

侯星 ;

候玮 ;

卜德刚 ;

李越文 ;

张宇 .

中国专利 :CN114457356A ,2022-05-10

[7]

一种CuFeO2半导体的制备方法 [P].

林海生 ;

马信洲 ;

曾龙交 ;

王齐 ;

陈昌爱 ;

周冠仁 ;

刘金花 ;

梁方明 .

中国专利 :CN110117796A ,2019-08-13

[8]

一种光电催化薄膜及其制备方法 [P].

李晓洁 ;

赵伟 ;

王志勇 .

中国专利 :CN102437209A ,2012-05-02

[9]

一种CuFeO2纳米结构的合成方法 [P].

汪元元 .

中国专利 :CN108545779A ,2018-09-18

[10]

一种CuFeO2光电极的电化学制备方法 [P].

陈小卉 ;

李树白 ;

唐惠东 ;

段啸天 ;

戴子翔 ;

徐欣 ;

李子瑜 ;

周星誉 .

中国专利 :CN111118566A ,2020-05-08

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