半导体装置结构和其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110184824.9

申请日：

2021-02-10

公开(公告)号：

CN113327905A

公开(公告)日：

2021-08-31

发明(设计)人：

陈信吉黄薰瑩李智铭吴尚彦杨智安何弘伟张朝钦黄琮伟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2148

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/488 申请日:20210210
2021-08-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置结构和其形成方法 [P].

陈信吉 ;

黄薰瑩 ;

李智铭 ;

吴尚彦 ;

杨智安 ;

何弘伟 ;

张朝钦 ;

黄琮伟 .

中国专利 :CN113327905B ,2025-04-25

[2]

半导体装置结构和其形成方法 [P].

潘冠廷 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

詹易叡 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113658954A ,2021-11-16

[3]

半导体结构和形成方法 [P].

S·A·科恩 ;

A·格里尔 ;

T·J·小黑格 ;

刘小虎 ;

S·V·源 ;

T·M·肖 ;

H·肖芭 .

中国专利 :CN101958311A ,2011-01-26

[4]

半导体装置和其形成方法 [P].

李佑祖 ;

陈彦儒 ;

蒋光浩 .

中国专利 :CN118173583A ,2024-06-11

[5]

半导体装置和其形成方法 [P].

唐瀚楀 ;

张宏台 ;

游明华 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN114551578A ,2022-05-27

[6]

半导体装置和其形成方法 [P].

龚耀雄 ;

赖朝文 .

中国专利 :CN114975354B ,2025-12-12

[7]

半导体装置和其形成方法 [P].

杉冈繁 ;

山口秀范 ;

川北惠三 ;

徐邦宁 .

中国专利 :CN113809081A ,2021-12-17

[8]

半导体装置和其形成方法 [P].

杉冈繁 ;

山口秀范 ;

川北惠三 ;

徐邦宁 .

美国专利 :CN113809081B ,2025-04-29

[9]

半导体装置和其形成方法 [P].

吴雲骥 ;

杨宗谕 ;

徐丞伯 ;

刘建宏 .

中国专利 :CN111128885B ,2020-05-08

[10]

半导体装置结构的形成方法 [P].

陈昭瑄 ;

杨宜伟 ;

古淑瑗 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN119997591A ,2025-05-13

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