非易失性存储器的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610171722.9

申请日：

2006-12-19

公开(公告)号：

CN100547768C

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

简财源王子嵩

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101048799951 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2006101717229 变更事项:专利权人变更前:力晶半导体股份有限公司变更后:力晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前:中国台湾新竹科学工业园区变更后:中国台湾新竹科学工业园区变更事项:共同专利权人变更前:株式会社瑞萨科技变更后:株式会社瑞萨科技
2021-12-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8247 登记生效日:20211206 变更事项:专利权人变更前权利人:力晶科技股份有限公司变更后权利人:力晶积成电子制造股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹科学工业园区变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区变更事项:专利权人变更前权利人:瑞萨电子株式会社变更后权利人:瑞萨电子株式会社
2008-06-25	公开	公开
2009-10-07	授权	授权
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-12-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8247 登记生效日:20211206 变更事项:专利权人变更前权利人:力晶科技股份有限公司变更后权利人:力晶科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹科学工业园区变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社

共 50 条

[1]

非易失性存储器的制作方法及非易失性存储器 [P].

李敏 .

中国专利 :CN105355601A ,2016-02-24

[2]

非易失性存储器的制作方法 [P].

潘建尉 ;

张守宇 ;

曾增文 ;

傅景鸿 ;

钟志平 .

中国专利 :CN101345217A ,2009-01-14

[3]

非易失性存储器及其制作方法 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN105514107A ,2016-04-20

[4]

非易失性存储器以及其制作方法 [P].

黄启政 ;

施秉嘉 ;

王志铭 ;

黄骏松 ;

李祥丞 ;

林志宏 ;

许尧凯 .

中国专利 :CN102891184A ,2013-01-23

[5]

制作非易失性存储器的方法 [P].

安在春 ;

张熙显 .

中国专利 :CN1143253A ,1997-02-19

[6]

非易失性存储器的布局结构及其制作方法 [P].

王子嵩 ;

赖亮全 .

中国专利 :CN101308823A ,2008-11-19

[7]

组对结构非易失性存储器的制作方法 [P].

金波 .

中国专利 :CN118317609B ,2024-08-23

[8]

组对结构非易失性存储器的制作方法 [P].

金波 ;

禹小军 .

中国专利 :CN115472622A ,2022-12-13

[9]

组对结构非易失性存储器的制作方法 [P].

金波 .

中国专利 :CN118317609A ,2024-07-09

[10]

非易失性存储器体元件及其制作方法 [P].

铃木淳弘 ;

李致维 ;

古紹泓 .

中国专利 :CN106449644A ,2017-02-22

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