一种光子芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910648713.1

申请日：

2019-07-17

公开(公告)号：

CN110221387A

公开(公告)日：

2019-09-10

发明(设计)人：

杨林杨尚霖张磊

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

G02B612

IPC分类号：

G02B6122

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	授权	授权
2019-09-10	公开	公开
2019-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/12 申请日:20190717

共 50 条

[1]

一种光子芯片的端口耦合结构及其制备方法 [P].

王鹏 ;

李一瑶 .

中国专利 :CN117555073A ,2024-02-13

[2]

一种集成光子芯片及其制备方法 [P].

欧欣 ;

王成立 ;

蔡佳辰 .

中国专利 :CN118112716A ,2024-05-31

[3]

一种光子芯片的制备方法及光子芯片 [P].

欧欣 ;

杨秉承 ;

王成立 ;

蔡佳辰 .

中国专利 :CN117872530A ,2024-04-12

[4]

一种集成光子芯片及其制备方法 [P].

杨树明 ;

张坤 ;

胡庆杰 ;

李磊 ;

韩枫 ;

蒋庄德 .

中国专利 :CN102659070A ,2012-09-12

[5]

硅光子芯片及其制备方法 [P].

李显尧 .

中国专利 :CN117434755A ,2024-01-23

[6]

一种光子计算芯片 [P].

于让尘 ;

程进 ;

孙涛 ;

潘栋 .

中国专利 :CN113721321A ,2021-11-30

[7]

一种光子计算芯片 [P].

于让尘 ;

程进 ;

孙涛 ;

潘栋 .

中国专利 :CN113721321B ,2024-04-16

[8]

光子芯片及其制造方法 [P].

G·里德 ;

D·汤姆森 .

中国专利 :CN113287045A ,2021-08-20

[9]

一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法 [P].

王磊 ;

张秀全 ;

陈峰 ;

胡卉 .

中国专利 :CN113687556A ,2021-11-23

[10]

同质集成红外光子芯片及其制备方法 [P].

王永进 ;

倪曙煜 ;

李欣 .

中国专利 :CN109860354B ,2019-06-07

← 1 2 3 4 5 →