具有弹性缓冲的半导体元件吸取机构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202021536260.8
申请日
2020-07-29
公开(公告)号
CN212686879U
公开(公告)日
2021-03-12
发明(设计)人
邓杨
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区方洲路183号
IPC主分类号
B65G4791
IPC分类号
代理机构
北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264
代理人
刘俊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
具有缓冲结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN117577611A ,2024-02-20
[2]
具有缓冲结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN117525015A ,2024-02-06
[3]
半导体元件及具有此半导体元件的装置 [P]. 
曾柏皓 ;
许凯捷 .
中国专利 :CN108538880B ,2018-09-14
[4]
半导体元件以及半导体元件的封装结构 [P]. 
陈柏成 ;
陈鼎尧 ;
吴振铨 ;
伍金记 .
中国专利 :CN214384757U ,2021-10-12
[5]
半导体元件以及半导体元件的封装结构 [P]. 
陈柏成 ;
陈鼎尧 ;
吴振铨 ;
伍金记 .
中国专利 :CN217468471U ,2022-09-20
[6]
具有可控半导体元件的半导体装置 [P]. 
C·R·米勒 .
中国专利 :CN108807369A ,2018-11-13
[7]
具有半导体通道层的半导体元件 [P]. 
丘世仰 .
中国专利 :CN117858501A ,2024-04-09
[8]
具有堆叠的半导体元件的半导体装置 [P]. 
哈里·黑德勒 ;
罗兰·伊尔希格勒 ;
托尓斯藤·迈耶 .
中国专利 :CN1744312A ,2006-03-08
[9]
具有堆叠的半导体元件的半导体装置 [P]. 
哈里·黑德勒 ;
罗兰·伊尔西格勒 .
中国专利 :CN100448001C ,2006-03-08
[10]
具有弹性缓冲结构的电磁元件 [P]. 
成烽 ;
李成军 ;
彭志慧 .
中国专利 :CN209729702U ,2019-12-03