取代噻吩并噻吩单体和导电聚合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510113274.2

申请日：

2005-09-30

公开(公告)号：

CN1760196A

公开(公告)日：

2006-04-19

发明(设计)人：

A·F·诺德奎斯特 W·F·小布戈内 S·扎恩 F·J·瓦勒

申请人：

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

IPC主分类号：

C07D49502

IPC分类号：

C08G6112

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘维升;赵苏林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-19	授权	授权
2006-04-19	公开	公开
2011-12-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101151910585 IPC(主分类):C07D 495/02 专利号:ZL2005101132742 申请日:20050930 授权公告日:20071219 终止日期:20100930
2006-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

五氟甲硫烷基取代的噻吩并噻吩单体及导电聚合物 [P].

S·扎恩 ;

A·F·诺德奎斯特 ;

K·E·明尼奇 ;

G·S·拉 ;

W·F·小布戈内 ;

A·克劳克－贾科布斯 .

中国专利 :CN1760197A ,2006-04-19

[2]

噻吩并-茚并-单体和聚合物 [P].

陈虎 ;

W·张 ;

M·胡尔汉吉 ;

I·麦卡洛克 ;

P·哈约兹 ;

D·克尔布莱因 .

中国专利 :CN110582502A ,2019-12-17

[3]

苯并噻吩并噻吩异靛聚合物 [P].

P·哈约兹 ;

D·克尔布莱因 ;

I·麦卡洛克 ;

W·岳 .

中国专利 :CN107109214A ,2017-08-29

[4]

氟化烷基取代的噻吩并[3,4－b]噻吩单体及其聚合物 [P].

S·赞 ;

G·S·拉尔 ;

W·F·小伯戈因 ;

K·E·明尼克 ;

A·F·诺德奎斯特 ;

L·M·罗伯逊 ;

F·J·沃勒 .

中国专利 :CN1869038A ,2006-11-29

[5]

含噻吩并噻吩基的聚合物及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

张振华 ;

王平 ;

钟铁涛 .

中国专利 :CN104017183A ,2014-09-03

[6]

含噻吩并噻吩基的聚合物及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

张振华 ;

王平 ;

黄辉 .

中国专利 :CN104017175A ,2014-09-03

[7]

含噻吩并噻吩-二苯并噻吩苯并二噻吩的共轭聚合物及其制备方法与应用 [P].

周明杰 ;

管榕 ;

李满园 ;

黄佳乐 ;

黎乃元 .

中国专利 :CN103936969A ,2014-07-23

[8]

双(噻吩并[3，2-b]噻吩)并芴单体、共轭聚合物及其应用 [P].

肖生强 ;

杨明焱 ;

尤为 ;

詹春 .

中国专利 :CN104557972A ,2015-04-29

[9]

聚噻吩导电聚合物的生产装置 [P].

刘洋 .

中国专利 :CN108239260A ,2018-07-03

[10]

基于聚噻吩的导电聚合物膜 [P].

金镇恒 ;

安寅淑 ;

孙熙东 ;

柳大基 .

中国专利 :CN101848962A ,2010-09-29

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