NMOS晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110226194.3

申请日：

2011-08-08

公开(公告)号：

CN102931232A

公开(公告)日：

2013-02-13

发明(设计)人：

赵猛三重野文健

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	授权	授权
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101415523329 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011102261943 申请日:20110808
2013-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102931233A ,2013-02-13

[2]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

黄炜 ;

徐静静 ;

刘星 ;

周俊 .

中国专利 :CN108987278B ,2018-12-11

[3]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

王津洲 ;

赵猛 .

中国专利 :CN101312208A ,2008-11-26

[4]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105551957A ,2016-05-04

[5]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

郑喆 .

中国专利 :CN105428237A ,2016-03-23

[6]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

魏琰 .

中国专利 :CN104078359A ,2014-10-01

[7]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960792A ,2017-07-18

[8]

NMOS晶体管及其形成方法、包括该NMOS晶体管的CMOS晶体管 [P].

何永根 .

中国专利 :CN103474351B ,2013-12-25

[9]

NMOS晶体管及其形成方法 [P].

何有丰 ;

胡亚兰 .

中国专利 :CN102376573B ,2012-03-14

[10]

NMOS晶体管及形成方法、CMOS结构及形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103515238A ,2014-01-15

← 1 2 3 4 5 →