包含存储器单元结构的微电子装置以及相关方法和电子系统

被引：0

申请号：

CN202210537887.2

申请日：

2022-05-17

公开(公告)号：

CN115377106A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

S·D·斯奈德 T·A·菲古拉 S·N·S·查拉马拉塞蒂江秉洁 S·L·莱特 Y·辛格李岩郭松

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242 G11C11401

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-22	公开	公开
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20220517

共 50 条

[1]

微电子装置以及相关存储器装置和电子系统 [P].

E·E·于 ;

M·皮卡尔迪 ;

S·C·耶路瓦鲁 .

中国专利 :CN115707252A ,2023-02-17

[2]

微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法 [P].

J·D·霍普金斯 ;

J·D·格林利 ;

F·H·法布勒盖特 ;

J·A·斯迈思 .

中国专利 :CN114078869A ,2022-02-22

[3]

包含竖直平面存储器单元结构的微电子装置以及相关存储器装置及电子系统 [P].

福住嘉晃 .

美国专利 :CN120937519A ,2025-11-11

[4]

包含阶梯结构的微电子装置以及相关存储器装置和电子系统 [P].

罗双强 ;

李旋 ;

余佩霞 .

美国专利 :CN112750837B ,2024-04-23

[5]

包含阶梯结构的微电子装置以及相关存储器装置和电子系统 [P].

罗双强 ;

李旋 ;

余佩霞 .

中国专利 :CN112750837A ,2021-05-04

[6]

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统 [P].

K·R·帕雷克 .

中国专利 :CN114843277A ,2022-08-02

[7]

包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统 [P].

D·A·克朗皮特 ;

R·W·林赛 ;

J·D·鲁尼亚 ;

M·霍兰 ;

C·N·查蒙达 .

中国专利 :CN113594168A ,2021-11-02

[8]

包含低洼结构的微电子装置以及相关方法、存储器装置和电子系统 [P].

D·A·克朗皮特 ;

R·W·林赛 ;

J·D·鲁尼亚 ;

M·霍兰 ;

C·N·查蒙达 .

美国专利 :CN113594168B ,2025-03-11

[9]

微电子装置及相关存储器装置以及电子系统 [P].

河合鉱一 ;

鎌田义彦 ;

福住嘉晃 ;

村越有 .

美国专利 :CN116171654B ,2024-09-10

[10]

微电子装置及相关存储器装置以及电子系统 [P].

L·P·海内克 .

美国专利 :CN117677195A ,2024-03-08

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